на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 1811.15 грн |
| 8+ | 1685.69 грн |
| 10+ | 1513.19 грн |
| 20+ | 1413.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTK120P20T Littelfuse
Description: LITTELFUSE - IXTK120P20T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 120 A, 0.03 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.04kW, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXTK120P20T за ціною від 1354.29 грн до 2566.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTK120P20T | Виробник : Littelfuse Inc. |
 Description: MOSFET P-CH 200V 120A TO264Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 60A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-264 (IXTK) Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73000 pF @ 25 V |
на замовлення 429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTK120P20T | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTK120P20T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 120 A, 0.03 ohm, TO-264, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.04kW Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IXTK120P20T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTK120P20T | Виробник : IXYS |
MOSFETs TrenchP Power MOSFET |
на замовлення 383 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IXTK120P20T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IXTK120P20T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IXTK120P20T | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -120A; 1040W Case: PLUS264™ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -120A Reverse recovery time: 300ns Gate charge: 740nC On-state resistance: 30mΩ Gate-source voltage: ±15V Power dissipation: 1.04kW |
товару немає в наявності |