Продукція > LITTELFUSE INC. > IXTK120P20T
IXTK120P20T

IXTK120P20T Littelfuse Inc.

littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_120p20t_datasheet.pdf?assetguid=67b5be5e-bc83-47b6-b9a2-f0699eb6249e
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET P-CH 200V 120A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73000 pF @ 25 V
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2048.11 грн
25+1310.64 грн
100+1296.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTK120P20T Littelfuse Inc.

Description: MOSFET P-CH 200V 120A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 60A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-264 (IXTK), Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTK120P20T за ціною від 1432.03 грн до 2443.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTK120P20T IXTK120P20T IXYS media-3320951.pdf MOSFETs TrenchP Power MOSFET
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2362.94 грн
10+2281.91 грн
25+1504.23 грн
100+1478.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120P20T IXTK120P20T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_120p20t_datasheet.pdf?assetguid=67b5be5e-bc83-47b6-b9a2-f0699eb6249e Description: MOSFET P-CH 200V 120A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73000 pF @ 25 V
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2443.15 грн
25+1578.01 грн
100+1432.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120P20T media-3320951.pdf
IXTK120P20T
Виробник: IXYS
MOSFETs TrenchP Power MOSFET
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2362.94 грн
10+2281.91 грн
25+1504.23 грн
100+1478.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK120P20T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_120p20t_datasheet.pdf?assetguid=67b5be5e-bc83-47b6-b9a2-f0699eb6249e
IXTK120P20T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 200V 120A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73000 pF @ 25 V
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2443.15 грн
25+1578.01 грн
100+1432.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.