IXTK140N20P IXYS SEMICONDUCTOR
Виробник: IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK140N20P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 200 V, 140 A, 0.018 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1498.06 грн |
| 5+ | 1231.30 грн |
| 10+ | 999.27 грн |
| 50+ | 846.90 грн |
| 100+ | 747.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTK140N20P IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK140N20P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 200 V, 140 A, 0.018 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 140A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800W, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXTK140N20P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
IXTK140N20P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
товару немає в наявності |
|
|
|
IXTK140N20P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
товару немає в наявності |
|
|
IXTK140N20P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 200V 140A TO264Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 800W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA Supplier Device Package: TO-264 (IXTK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
|
IXTK140N20P | Виробник : IXYS |
MOSFETs 140 Amps 200V 0.018 Rds |
товару немає в наявності |
|
|
IXTK140N20P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 140A; 800W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 140A Power dissipation: 800W Case: TO264 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 240nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 180ns Technology: PolarHT™ |
товару немає в наявності |



