на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1274.93 грн |
| 10+ | 1237.75 грн |
| 25+ | 914.41 грн |
| 100+ | 887.43 грн |
| 250+ | 775.75 грн |
| 500+ | 757.01 грн |
| 1000+ | 707.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTK140N20P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK140N20P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 200 V, 140 A, 0.018 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 140A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800W, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXTK140N20P за ціною від 742.31 грн до 1487.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTK140N20P | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK140N20P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 200 V, 140 A, 0.018 ohm, TO-264, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 800W Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTK140N20P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IXTK140N20P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IXTK140N20P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 140A; 800W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 140A Power dissipation: 800W Case: TO264 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 240nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: PolarHT™ Reverse recovery time: 180ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IXTK140N20P | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 200V 140A TO264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 800W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA Supplier Device Package: TO-264 (IXTK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IXTK140N20P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 140A; 800W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 140A Power dissipation: 800W Case: TO264 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 240nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: PolarHT™ Reverse recovery time: 180ns |
товару немає в наявності |