Продукція > IXYS > IXTK140N30P
IXTK140N30P

IXTK140N30P IXYS


media-3321689.pdf Виробник: IXYS
MOSFETs Polar Power MOSFET
на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1441.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTK140N30P IXYS

Description: MOSFET N-CH 300V 140A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 70A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA, Supplier Device Package: TO-264 (IXTK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTK140N30P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTK140N30P IXTK140N30P Виробник : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_standard_ixtk140n30p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK140N30P IXTK140N30P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF917BA10D161E27&compId=IXTK140N30P-DTE.pdf?ci_sign=0539e3c51f0d1e46075142cd98d33da5a34d86f9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 140A; 1040W; TO264
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.04kW
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.24Ω
Drain current: 140A
Drain-source voltage: 300V
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 185nC
Case: TO264
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK140N30P IXTK140N30P Виробник : IXYS a Description: MOSFET N-CH 300V 140A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK140N30P IXTK140N30P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF917BA10D161E27&compId=IXTK140N30P-DTE.pdf?ci_sign=0539e3c51f0d1e46075142cd98d33da5a34d86f9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 140A; 1040W; TO264
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.04kW
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.24Ω
Drain current: 140A
Drain-source voltage: 300V
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 185nC
Case: TO264
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.