Продукція > IXYS > IXTK170N10P
IXTK170N10P

IXTK170N10P IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9185A4CE98DE27&compId=IXTK170N10P-DTE.pdf?ci_sign=9136904f8419278af3f28381c2ff94e364518191 Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO264
Drain current: 170A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 715W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 198nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 120ns
Drain-source voltage: 100V
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+715.40 грн
2+595.31 грн
5+562.75 грн
25+557.33 грн
100+541.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTK170N10P IXYS

Description: MOSFET N-CH 100V 170A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 715W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-264 (IXTK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTK170N10P за ціною від 649.26 грн до 858.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTK170N10P IXTK170N10P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9185A4CE98DE27&compId=IXTK170N10P-DTE.pdf?ci_sign=9136904f8419278af3f28381c2ff94e364518191 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO264
Drain current: 170A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 715W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 198nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 120ns
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 319 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+858.48 грн
2+741.85 грн
5+675.31 грн
25+668.79 грн
100+649.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK170N10P IXTK170N10P Виробник : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_standard_ixt_170n10p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK170N10P IXTK170N10P Виробник : Littelfuse iscrete-mosfets-n-channel-standard-ixt-170n10p-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK170N10P IXTK170N10P Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse-discrete-mosfets-ixt-170n10p-datasheet?assetguid=175ebd9e-7358-496e-8ac0-7b03e2fb1949 Description: MOSFET N-CH 100V 170A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 715W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK170N10P IXTK170N10P Виробник : IXYS media-3319689.pdf MOSFETs 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.