IXTK170P10P LITTELFUSE
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTK170P10P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 170 A, 0.014 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: To Be Advised
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1505.03 грн |
| 5+ | 1376.22 грн |
| 10+ | 1247.40 грн |
| 50+ | 1122.72 грн |
| 100+ | 1002.81 грн |
| 250+ | 983.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTK170P10P LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTK170P10P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 170 A, 0.014 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 890W, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe PolarP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXTK170P10P за ціною від 889.77 грн до 1637.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTK170P10P | Виробник : IXYS |
MOSFETs -170.0 Amps -100V 0.012 Rds |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXTK170P10P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET P-CH 100V 170A TO264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 890W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-264 (IXTK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V |
на замовлення 146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXTK170P10P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IXTK170P10P | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -170A; 890W; TO264 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PolarP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -170A Power dissipation: 890W Case: TO264 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 240nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 176ns |
товару немає в наявності |