на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1138.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTK170P10P Littelfuse
Description: LITTELFUSE - IXTK170P10P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 170 A, 0.014 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 890W, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe PolarP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXTK170P10P за ціною від 996.00 грн до 1636.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTK170P10P | Виробник : LITTELFUSE |
 Description: LITTELFUSE - IXTK170P10P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 170 A, 0.014 ohm, TO-264, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 890W Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe PolarP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTK170P10P | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET P-CH 100V 170A TO264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 890W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-264 (IXTK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V |
на замовлення 475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTK170P10P | Виробник : IXYS |
MOSFETs -170.0 Amps -100V 0.012 Rds |
на замовлення 2015 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTK170P10P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IXTK170P10P | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -170A; 890W; TO264 Power dissipation: 890W Polarisation: unipolar On-state resistance: 14mΩ Drain current: -170A Kind of package: tube Drain-source voltage: -100V Reverse recovery time: 176ns Case: TO264 Gate charge: 240nC Technology: PolarP™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: P-MOSFET Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IXTK170P10P | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -170A; 890W; TO264 Power dissipation: 890W Polarisation: unipolar On-state resistance: 14mΩ Drain current: -170A Kind of package: tube Drain-source voltage: -100V Reverse recovery time: 176ns Case: TO264 Gate charge: 240nC Technology: PolarP™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: P-MOSFET Mounting: THT |
товару немає в наявності |