Продукція > LITTELFUSE > IXTK17N120L

IXTK17N120L Littelfuse

Name: IXTK17N120L
Brand: IXYS
SKU: 459857487-1
Price: 3200.78 UAH
Availability: BackOrder

crete_mosfets_n-channel_linear_ixt_17n120l_datasheet.pdf.pdf

Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-264

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXTK17N120L Littelfuse

Description: MOSFET N-CH 1200V 17A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 8.5A, 20V, Power Dissipation (Max): 700W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-264 (IXTK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTK17N120L

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IXTK17N120L	Виробник : Littelfuse	Trans MOSFET N-CH 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-264	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXTK17N120L	Виробник : Littelfuse	Trans MOSFET N-CH 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-264	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXTK17N120L	Виробник : IXYS	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 17A; 700W; TO264; 1.83us Power dissipation: 700W Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.9Ω Drain current: 17A Kind of package: tube Drain-source voltage: 1.2kV Reverse recovery time: 1.83µs Case: TO264 Features of semiconductor devices: linear power mosfet Gate charge: 155nC Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXTK17N120L	Виробник : IXYS	Description: MOSFET N-CH 1200V 17A TO264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 8.5A, 20V Power Dissipation (Max): 700W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-264 (IXTK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXTK17N120L	Виробник : IXYS	MOSFET 17 Amps 1200V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXTK17N120L	Виробник : IXYS	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 17A; 700W; TO264; 1.83us Power dissipation: 700W Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.9Ω Drain current: 17A Kind of package: tube Drain-source voltage: 1.2kV Reverse recovery time: 1.83µs Case: TO264 Features of semiconductor devices: linear power mosfet Gate charge: 155nC Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.