IXTK17N120L IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1200V 17A TO264
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 8.5A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 25 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTK17N120L IXYS
Description: MOSFET N-CH 1200V 17A TO264, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 15 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Supplier Device Package: TO-264 (IXTK), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 700W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 8.5A, 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTK17N120L
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTK17N120L | IXYS |
MOSFET 17 Amps 1200V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
IXTK17N120L | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 17A; 700W; TO264; 1.83us Drain current: 17A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Case: TO264 On-state resistance: 0.9Ω Reverse recovery time: 1.83µs Mounting: THT Power dissipation: 700W Gate charge: 155nC Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: linear power mosfet |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IXTK17N120L | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
IXTK17N120L | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
| IXTK17N120L |
|
Виробник: IXYS
MOSFET 17 Amps 1200V
MOSFET 17 Amps 1200V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IXTK17N120L |
|
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 17A; 700W; TO264; 1.83us
Drain current: 17A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 0.9Ω
Reverse recovery time: 1.83µs
Mounting: THT
Power dissipation: 700W
Gate charge: 155nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 17A; 700W; TO264; 1.83us
Drain current: 17A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 0.9Ω
Reverse recovery time: 1.83µs
Mounting: THT
Power dissipation: 700W
Gate charge: 155nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXTK17N120L |
|
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IXTK17N120L |
|
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.