Продукція > LITTELFUSE INC. > IXTK180N15P
IXTK180N15P

IXTK180N15P Littelfuse Inc.

Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXTK180N15P-Datasheet.PDF?assetguid=ECFB4FE7-33F8-4AF9-93F9-31850A67F019
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 150V 180A TO264
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1183.56 грн
25+759.22 грн
100+654.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTK180N15P Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 150V 180A TO264, Power Dissipation (Max): 800W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 90A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-264 (IXTK), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA.

Інші пропозиції IXTK180N15P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTK180N15P IXTK180N15P Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXTK180N15P_Datasheet.PDF MOSFETs 180 Amps 150V 0.01 Ohm Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.