на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2054.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTK200N10L2 Littelfuse
Description: LITTELFUSE - IXTK200N10L2 - MOSFET, N-CH, 100V, 200A, TO-264, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.04kW, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: LinearL2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, directShipCharge: 25.
Інші пропозиції IXTK200N10L2 за ціною від 1607.46 грн до 3139.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTK200N10L2 | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 1040W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA Supplier Device Package: TO-264 (IXTK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V |
на замовлення 298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTK200N10L2 | Виробник : IXYS |
 MOSFETs L2 Linear Power MOSFET |
на замовлення 794 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTK200N10L2 | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTK200N10L2 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTK200N10L2 - MOSFET, N-CH, 100V, 200A, TO-264 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.04kW Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: LinearL2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IXTK200N10L2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IXTK200N10L2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IXTK200N10L2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IXTK200N10L2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IXTK200N10L2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IXTK200N10L2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 100V; 200A; 1040W Mounting: THT Reverse recovery time: 245ns Drain-source voltage: 100V Drain current: 200A On-state resistance: 11mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.04kW Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 540nC Technology: Linear L2™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: TO264 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IXTK200N10L2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 100V; 200A; 1040W Mounting: THT Reverse recovery time: 245ns Drain-source voltage: 100V Drain current: 200A On-state resistance: 11mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.04kW Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 540nC Technology: Linear L2™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: TO264 |
товару немає в наявності |