Продукція > LITTELFUSE INC. > IXTK200N10P
IXTK200N10P

IXTK200N10P Littelfuse Inc.

a Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+948.07 грн
25+697.54 грн
100+666.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTK200N10P Littelfuse Inc.

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK200N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 7500 µohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800W, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IXTK200N10P за ціною від 689.85 грн до 1170.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTK200N10P IXTK200N10P Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595766-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK200N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 7500 µohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1031.10 грн
5+985.85 грн
10+940.59 грн
50+831.39 грн
100+728.64 грн
250+689.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK200N10P IXTK200N10P Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXTK200N10P_Datasheet.PDF MOSFETs 200 Amps 100V 0.0075 Rds
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1045.59 грн
10+858.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK200N10P Виробник : IXYS a IXTK200N10P THT N channel transistors
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1170.24 грн
2+997.66 грн
4+943.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK200N10P IXTK200N10P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK200N10P IXTK200N10P Виробник : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_standard_ixtk200n10p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.