IXTK200N10P IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 200A; 800W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 100ns
Gate charge: 240nC
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 800W
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Type of transistor: N-MOSFET
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 875.99 грн |
| 3+ | 773.88 грн |
| 5+ | 771.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTK200N10P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK200N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 7500 µohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800W, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXTK200N10P за ціною від 555.32 грн до 1220.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTK200N10P | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK200N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 7500 µohm, TO-264, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 800W Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTK200N10P | Виробник : IXYS |
MOSFETs 200 Amps 100V 0.0075 Rds |
на замовлення 673 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTK200N10P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 800W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA Supplier Device Package: TO-264 (IXTK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V |
на замовлення 534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTK200N10P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
товару немає в наявності |