IXTK200N10P IXYS SEMICONDUCTOR
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK200N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0075 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK200N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0075 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 925.49 грн |
5+ | 837.56 грн |
10+ | 748.89 грн |
50+ | 675.33 грн |
100+ | 604.86 грн |
250+ | 592.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTK200N10P IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK200N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0075 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800W, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm.
Інші пропозиції IXTK200N10P за ціною від 647.65 грн до 1189.28 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXTK200N10P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 200A; 800W; TO264 Technology: PolarHT™ Case: TO264 Mounting: THT On-state resistance: 7.5mΩ Kind of package: tube Power dissipation: 800W Drain current: 200A Gate charge: 240nC Drain-source voltage: 100V Reverse recovery time: 100ns Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IXTK200N10P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 800W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA Supplier Device Package: TO-264 (IXTK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IXTK200N10P | Виробник : IXYS | MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds |
на замовлення 1060 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IXTK200N10P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 200A; 800W; TO264 Technology: PolarHT™ Case: TO264 Mounting: THT On-state resistance: 7.5mΩ Kind of package: tube Power dissipation: 800W Drain current: 200A Gate charge: 240nC Drain-source voltage: 100V Reverse recovery time: 100ns Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 22 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IXTK200N10P | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IXTK200N10P | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
товар відсутній |