Продукція > LITTELFUSE INC. > IXTK200N10P
IXTK200N10P

IXTK200N10P Littelfuse Inc.

a Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+881.76 грн
25+648.75 грн
100+619.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTK200N10P Littelfuse Inc.

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK200N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0075 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800W, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IXTK200N10P за ціною від 694.48 грн до 1426.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTK200N10P IXTK200N10P Виробник : IXYS media-3322561.pdf MOSFETs 200 Amps 100V 0.0075 Rds
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1006.78 грн
10+989.01 грн
25+694.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK200N10P IXTK200N10P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF918B7B48D05E27&compId=IXTK200N10P-DTE.pdf?ci_sign=0721e0c52bca576f300d138b8a4cdb5a5b21794d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 200A; 800W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 100ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 800W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 240nC
Technology: PolarHT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1042.33 грн
2+770.17 грн
4+728.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK200N10P IXTK200N10P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF918B7B48D05E27&compId=IXTK200N10P-DTE.pdf?ci_sign=0721e0c52bca576f300d138b8a4cdb5a5b21794d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 200A; 800W; TO264
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 100ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 800W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 240nC
Technology: PolarHT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1250.80 грн
2+959.75 грн
4+873.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK200N10P IXTK200N10P Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595766-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK200N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0075 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1426.92 грн
5+1248.65 грн
10+1034.08 грн
50+861.36 грн
100+733.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK200N10P IXTK200N10P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK200N10P IXTK200N10P Виробник : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_standard_ixtk200n10p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.