Продукція > IXYS > IXTK200N10P
IXTK200N10P

IXTK200N10P IXYS

IXTK200N10P-DTE.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 200A; 800W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 800W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Reverse recovery time: 100ns
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+873.36 грн
3+771.56 грн
5+769.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTK200N10P IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK200N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 7500 µohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 800W, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023), Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm.

Інші пропозиції IXTK200N10P за ціною від 673.83 грн до 1350.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTK200N10P IXTK200N10P IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=BC29D92E-B5D3-4AE1-A0E8-773B9B8B799F&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXTK200N10P-Datasheet.PDF Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1350.51 грн
25+829.72 грн
50+769.02 грн
100+673.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK200N10P IXTK200N10P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXTK200N10P_Datasheet.PDF MOSFETs 200 Amps 100V 0.0075 Rds
на замовлення 667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK200N10P IXTK200N10P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595766-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK200N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 7500 µohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 800W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK200N10P media?resourcetype=datasheets&itemid=BC29D92E-B5D3-4AE1-A0E8-773B9B8B799F&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXTK200N10P-Datasheet.PDF
IXTK200N10P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1350.51 грн
25+829.72 грн
50+769.02 грн
100+673.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK200N10P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXTK200N10P_Datasheet.PDF
IXTK200N10P
Виробник: IXYS
MOSFETs 200 Amps 100V 0.0075 Rds
на замовлення 667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK200N10P IXYS-S-A0008595766-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTK200N10P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK200N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 7500 µohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 800W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.