IXTK200N10P

IXTK200N10P IXYS SEMICONDUCTOR


IXYS-S-A0008595766-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK200N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0075 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
на замовлення 391 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+925.49 грн
5+ 837.56 грн
10+ 748.89 грн
50+ 675.33 грн
100+ 604.86 грн
250+ 592.72 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTK200N10P IXYS SEMICONDUCTOR

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK200N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0075 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800W, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm.

Інші пропозиції IXTK200N10P за ціною від 647.65 грн до 1189.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTK200N10P IXTK200N10P Виробник : IXYS IXTK200N10P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 200A; 800W; TO264
Technology: PolarHT™
Case: TO264
Mounting: THT
On-state resistance: 7.5mΩ
Kind of package: tube
Power dissipation: 800W
Drain current: 200A
Gate charge: 240nC
Drain-source voltage: 100V
Reverse recovery time: 100ns
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+991.06 грн
2+ 697.47 грн
4+ 659.41 грн
IXTK200N10P IXTK200N10P Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtk200n10p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1022.49 грн
25+ 797.08 грн
100+ 750.2 грн
IXTK200N10P IXTK200N10P Виробник : IXYS media-3322561.pdf MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1110.53 грн
10+ 964.8 грн
25+ 739.32 грн
50+ 720.72 грн
100+ 691.49 грн
250+ 679.54 грн
500+ 647.65 грн
IXTK200N10P IXTK200N10P Виробник : IXYS IXTK200N10P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 200A; 800W; TO264
Technology: PolarHT™
Case: TO264
Mounting: THT
On-state resistance: 7.5mΩ
Kind of package: tube
Power dissipation: 800W
Drain current: 200A
Gate charge: 240nC
Drain-source voltage: 100V
Reverse recovery time: 100ns
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1189.28 грн
2+ 869.16 грн
4+ 791.3 грн
IXTK200N10P IXTK200N10P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товар відсутній
IXTK200N10P IXTK200N10P Виробник : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_standard_ixtk200n10p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товар відсутній