
IXTK210P10T IXYS

Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 200ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -210A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 740nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1770.23 грн |
2+ | 1554.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTK210P10T IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTK210P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 210 A, 0.0075 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.04kW, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXTK210P10T за ціною від 1372.15 грн до 2466.68 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTK210P10T | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube |
на замовлення 381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTK210P10T | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 1043 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTK210P10T | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W Case: TO264 Mounting: THT Kind of package: tube Reverse recovery time: 200ns Drain-source voltage: -100V Drain current: -210A On-state resistance: 7.5mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.04kW Polarisation: unipolar Gate charge: 740nC Technology: TrenchP™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±15V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTK210P10T | Виробник : LITTELFUSE |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.04kW Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTK210P10T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTK210P10T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTK210P10T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IXTK210P10T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |