IXTK210P10T IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -210A
Drain-source voltage: -100V
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 740nC
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 1.04kW
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1787.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTK210P10T IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTK210P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 210 A, 7500 µohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.04kW, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXTK210P10T за ціною від 1352.40 грн до 2502.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXTK210P10T | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET P-CH -100V -210A TO-264Packaging: Tube |
на замовлення 212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXTK210P10T | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W Case: TO264 Mounting: THT Kind of package: tube Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain current: -210A Drain-source voltage: -100V Reverse recovery time: 200ns Gate charge: 740nC On-state resistance: 7.5mΩ Gate-source voltage: ±15V Power dissipation: 1.04kW Kind of channel: enhancement Technology: TrenchP™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXTK210P10T | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTK210P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 210 A, 7500 µohm, TO-264, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.04kW Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXTK210P10T | Виробник : IXYS |
MOSFETs TrenchP Power MOSFETs |
на замовлення 195 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXTK210P10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXTK210P10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXTK210P10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
IXTK210P10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
товару немає в наявності |



