IXTK210P10T Littelfuse Inc.
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1898.09 грн |
| 25+ | 1334.44 грн |
| 100+ | 1271.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTK210P10T Littelfuse Inc.
Description: LITTELFUSE - IXTK210P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 210 A, 7500 µohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.04kW, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXTK210P10T за ціною від 1418.91 грн до 2865.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXTK210P10T | IXYS |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W Case: TO264 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 1.04kW Gate charge: 740nC Polarisation: unipolar Technology: TrenchP™ Drain current: -210A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -100V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 7.5mΩ Reverse recovery time: 200ns |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
IXTK210P10T | IXYS |
Description: MOSFET P-CH -100V -210A TO-264Packaging: Tube |
на замовлення 1447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IXTK210P10T | Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IXTK210P10T | Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IXTK210P10T | IXYS |
MOSFETs TrenchP Power MOSFETs |
на замовлення 1289 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IXTK210P10T | LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTK210P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 210 A, 7500 µohm, TO-264, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.04kW Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 54 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXTK210P10T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 1.04kW
Gate charge: 740nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -210A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 7.5mΩ
Reverse recovery time: 200ns
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 1.04kW
Gate charge: 740nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -210A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 7.5mΩ
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2346.39 грн |
| IXTK210P10T |
![]() |
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2420.77 грн |
| 25+ | 1563.56 грн |
| 100+ | 1418.91 грн |
| IXTK210P10T |
![]() |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 100V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Trans MOSFET P-CH 100V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 2865.77 грн |
| 10+ | 2778.32 грн |
| 20+ | 2607.13 грн |
| IXTK210P10T |
![]() |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 100V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Trans MOSFET P-CH 100V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 2865.77 грн |
| 10+ | 2778.32 грн |
| 20+ | 2607.13 грн |
| 50+ | 2356.75 грн |
| IXTK210P10T |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs TrenchP Power MOSFETs
MOSFETs TrenchP Power MOSFETs
на замовлення 1289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IXTK210P10T |
![]() |
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTK210P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 210 A, 7500 µohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: To Be Advised
Description: LITTELFUSE - IXTK210P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 210 A, 7500 µohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







