Продукція > LITTELFUSE INC. > IXTK210P10T
IXTK210P10T

IXTK210P10T Littelfuse Inc.

littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_210p10t_datasheet.pdf?assetguid=cce7c83f-1d9e-454b-a7cb-d2902cd95200
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET P-CH -100V -210A TO-264
Packaging: Tube
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1898.09 грн
25+1334.44 грн
100+1271.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTK210P10T Littelfuse Inc.

Category: THT P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W, Mounting: THT, Kind of channel: enhancement, Technology: TrenchP™, Type of transistor: P-MOSFET, Case: TO264, Kind of package: tube, Drain-source voltage: -100V, Drain current: -210A, Reverse recovery time: 200ns, Gate charge: 740nC, On-state resistance: 7.5mΩ, Gate-source voltage: ±15V, Power dissipation: 1.04kW, Polarisation: unipolar.

Інші пропозиції IXTK210P10T за ціною від 1418.91 грн до 2540.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTK210P10T IXTK210P10T IXYS IXTK210P10T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO264
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -210A
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 740nC
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1936.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK210P10T IXTK210P10T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_210p10t_datasheet.pdf?assetguid=cce7c83f-1d9e-454b-a7cb-d2902cd95200 Description: MOSFET P-CH -100V -210A TO-264
Packaging: Tube
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2420.77 грн
25+1563.56 грн
100+1418.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK210P10T IXTK210P10T IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_210P10T_Datasheet.PDF MOSFETs TrenchP Power MOSFETs
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2540.22 грн
10+1841.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK210P10T IXTK210P10T.pdf
IXTK210P10T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO264
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -210A
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 740nC
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1936.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK210P10T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_210p10t_datasheet.pdf?assetguid=cce7c83f-1d9e-454b-a7cb-d2902cd95200
IXTK210P10T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH -100V -210A TO-264
Packaging: Tube
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2420.77 грн
25+1563.56 грн
100+1418.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK210P10T Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_210P10T_Datasheet.PDF
IXTK210P10T
Виробник: IXYS
MOSFETs TrenchP Power MOSFETs
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2540.22 грн
10+1841.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.