IXTK210P10T Littelfuse Inc.


littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_210p10t_datasheet.pdf?assetguid=cce7c83f-1d9e-454b-a7cb-d2902cd95200
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET P-CH -100V -210A TO-264
Packaging: Tube
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1898.09 грн
25+1334.44 грн
100+1271.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTK210P10T Littelfuse Inc.

Description: LITTELFUSE - IXTK210P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 210 A, 7500 µohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.04kW, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції IXTK210P10T за ціною від 1418.91 грн до 2865.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTK210P10T IXTK210P10T IXYS IXTK210P10T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 1.04kW
Gate charge: 740nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -210A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 7.5mΩ
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2346.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK210P10T IXTK210P10T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_210p10t_datasheet.pdf?assetguid=cce7c83f-1d9e-454b-a7cb-d2902cd95200 Description: MOSFET P-CH -100V -210A TO-264
Packaging: Tube
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2420.77 грн
25+1563.56 грн
100+1418.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK210P10T IXTK210P10T Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2865.77 грн
10+2778.32 грн
20+2607.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK210P10T IXTK210P10T Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2865.77 грн
10+2778.32 грн
20+2607.13 грн
50+2356.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK210P10T IXTK210P10T IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_210P10T_Datasheet.PDF MOSFETs TrenchP Power MOSFETs
на замовлення 1289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK210P10T IXTK210P10T LITTELFUSE LFSI-S-A0007924859-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTK210P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 210 A, 7500 µohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK210P10T IXTK210P10T.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 1.04kW
Gate charge: 740nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -210A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 7.5mΩ
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2346.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK210P10T littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_210p10t_datasheet.pdf?assetguid=cce7c83f-1d9e-454b-a7cb-d2902cd95200
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH -100V -210A TO-264
Packaging: Tube
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2420.77 грн
25+1563.56 грн
100+1418.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK210P10T media.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 100V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+2865.77 грн
10+2778.32 грн
20+2607.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK210P10T media.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 100V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+2865.77 грн
10+2778.32 грн
20+2607.13 грн
50+2356.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK210P10T Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_210P10T_Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
MOSFETs TrenchP Power MOSFETs
на замовлення 1289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK210P10T LFSI-S-A0007924859-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTK210P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 210 A, 7500 µohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.