на замовлення 300 шт:
термін постачання 455-464 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3222.04 грн |
| 10+ | 3141.32 грн |
| 25+ | 2374.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTK22N100L IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 22A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 11A, 20V, Power Dissipation (Max): 700W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-264 (IXTK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7050 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTK22N100L
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTK22N100L | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 1KV 22A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTK22N100L | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 22A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTK22N100L | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 22A; 700W; TO264; 1us Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 22A Power dissipation: 700W Case: TO264 On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 0.27µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 1µs кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTK22N100L | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTK22N100L - MOSFET, N-CH, 1KV, 22A, TO-264 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 1 Dauer-Drainstrom Id: 22 Rds(on)-Messspannung Vgs: 20 Verlustleistung Pd: 700 Bauform - Transistor: TO-264 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: Linear Series Wandlerpolarität: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5.5 SVHC: To Be Advised |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTK22N100L | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 1000V 22A TO264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 11A, 20V Power Dissipation (Max): 700W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-264 (IXTK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7050 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
IXTK22N100L | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 22A; 700W; TO264; 1us Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 22A Power dissipation: 700W Case: TO264 On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 0.27µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 1µs |
товару немає в наявності |