Продукція > IXYS > IXTK32P60P
IXTK32P60P

IXTK32P60P IXYS

IXTK32P60P.pdf Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -32A; 890W; TO264
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 196nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 480ns
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -32A
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1202.34 грн
3+1055.23 грн
25+1019.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTK32P60P IXYS

Description: MOSFET P-CH 600V 32A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 890W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-264 (IXTK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTK32P60P за ціною від 1223.65 грн до 1622.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTK32P60P IXTK32P60P Виробник : IXYS IXTK32P60P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -32A; 890W; TO264
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 196nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO264
Reverse recovery time: 480ns
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -32A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1442.81 грн
3+1314.98 грн
25+1223.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK32P60P IXTK32P60P Виробник : IXYS media-3320739.pdf MOSFET -32 Amps -600V 0.350 Rds
на замовлення 692 шт:
термін постачання 835-844 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1622.10 грн
10+1420.34 грн
25+1227.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK32P60P IXTK32P60P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK32P60P IXTK32P60P Виробник : Littelfuse fuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_32p60p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK32P60P IXTK32P60P Виробник : IXYS DS99990(IXTK-TX32P60P).pdf Description: MOSFET P-CH 600V 32A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.