на замовлення 692 шт:
термін постачання 835-844 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1481.09 грн |
| 10+ | 1296.87 грн |
| 25+ | 1120.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTK32P60P IXYS
Description: MOSFET P-CH 600V 32A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 890W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-264 (IXTK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTK32P60P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTK32P60P | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET P-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товар відсутній |
|
 |
IXTK32P60P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товар відсутній |
|
 |
IXTK32P60P | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -32A; 890W; TO264 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PolarP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -600V Drain current: -32A Power dissipation: 890W Case: TO264 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: THT Gate charge: 196nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 480ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IXTK32P60P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET P-CH 600V 32A TO264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 890W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-264 (IXTK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
IXTK32P60P | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -32A; 890W; TO264 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PolarP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -600V Drain current: -32A Power dissipation: 890W Case: TO264 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: THT Gate charge: 196nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 480ns |
товар відсутній |