IXTK40P50P IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET P-CH 500V 40A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1367.4 грн |
| 25+ | 1091.51 грн |
| 100+ | 1023.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTK40P50P IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTK40P50P - MOSFET, P-CH, 500V, 40A, TO-264, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 890W, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarP Series, productTraceability: No, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Інші пропозиції IXTK40P50P за ціною від 916.68 грн до 1570.8 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTK40P50P | Виробник : IXYS |
MOSFET -40.0 Amps -500V 0.230 Rds |
на замовлення 1407 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTK40P50P | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTK40P50P - MOSFET, P-CH, 500V, 40A, TO-264 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 890W Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarP Series productTraceability: No Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTK40P50P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 500V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IXTK40P50P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 500V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IXTK40P50P | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -40A; 890W; TO264 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PolarP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -500V Drain current: -40A Power dissipation: 890W Case: TO264 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 205nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 477ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IXTK40P50P | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -40A; 890W; TO264 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PolarP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -500V Drain current: -40A Power dissipation: 890W Case: TO264 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 205nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 477ns |
товар відсутній |