IXTK600N04T2 IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 600A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 590 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 300+ | 1111.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTK600N04T2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 40V 600A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 1250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-264 (IXTK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 590 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTK600N04T2 за ціною від 1171.66 грн до 1681.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTK600N04T2 | Виробник : IXYS |
MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET |
на замовлення 261 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTK600N04T2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 40V 600A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
IXTK600N04T2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 600A; 1250W; TO264; 100ns Mounting: THT Polarisation: unipolar Kind of package: tube Case: TO264 Drain current: 600A On-state resistance: 1.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.25kW Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 590nC Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 100ns Drain-source voltage: 40V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
IXTK600N04T2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 600A; 1250W; TO264; 100ns Mounting: THT Polarisation: unipolar Kind of package: tube Case: TO264 Drain current: 600A On-state resistance: 1.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.25kW Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 590nC Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 100ns Drain-source voltage: 40V |
товар відсутній |