Продукція > IXYS > IXTK60N50L2

IXTK60N50L2 IXYS

Name: IXTK60N50L2
Brand: IXYS
SKU: 143749-4
Price: 2953.78 UAH
Availability: InStock

Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Linear_IXT_60N50_Datasheet.PDF

Виробник: IXYS
MOSFETs 60 Amps 500V

на замовлення 688 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	2953.78 грн
10+	2223.53 грн
100+	1932.71 грн
500+	1875.24 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXTK60N50L2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 500V 60A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 960W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-264 (IXTK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 610 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTK60N50L2

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IXTK60N50L2	Виробник : Littelfuse	Trans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXTK60N50L2	Виробник : IXYS	Description: MOSFET N-CH 500V 60A TO264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 960W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-264 (IXTK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 610 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXTK60N50L2	Виробник : IXYS	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 60A; 960W; TO264; 980ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 60A Power dissipation: 960W Case: TO264 On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 610nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 980ns Kind of package: tube Features of semiconductor devices: linear power mosfet	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.