| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3265.24 грн |
| 10+ | 2649.28 грн |
| 100+ | 2063.72 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTK60N50L2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 60A TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 960W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-264 (IXTK), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 610 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTK60N50L2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTK60N50L2 |
 TO-264 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
 |
IXTK60N50L2 | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 500V 60A TO264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 960W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-264 (IXTK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 610 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IXTK60N50L2 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 60A; 960W; TO264; 980ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 60A Power dissipation: 960W Case: TO264 On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 610nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 980ns Features of semiconductor devices: linear power mosfet |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IXTK60N50L2 | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
| IXTK60N50L2 |
|
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 60A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 610 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 60A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 610 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXTK60N50L2 |
|
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 60A; 960W; TO264; 980ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 610nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 980ns
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 60A; 960W; TO264; 980ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 610nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 980ns
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXTK60N50L2 |
|
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Trans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.