IXTK82N25P IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 82A; 500W; TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 82A
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 142nC
On-state resistance: 38mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 758.86 грн |
| 10+ | 518.52 грн |
| 25+ | 505.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTK82N25P IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 82A TO264, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-264 (IXTK), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 41A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IXTK82N25P за ціною від 379.05 грн до 938.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTK82N25P | Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 250V 82A TO264 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-264 (IXTK) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 41A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Packaging: Tube |
на замовлення 564 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXTK82N25P | IXYS |
MOSFETs 82 Amps 250V 0.035 Rds |
на замовлення 362 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IXTK82N25P |
|
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 250V 82A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 41A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 250V 82A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 41A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 762.65 грн |
| 25+ | 480.58 грн |
| 100+ | 419.37 грн |
| 500+ | 379.05 грн |
| IXTK82N25P |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs 82 Amps 250V 0.035 Rds
MOSFETs 82 Amps 250V 0.035 Rds
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 938.29 грн |
| 10+ | 607.33 грн |
| 100+ | 463.91 грн |