
IXTK90P20P IXYS

Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; TO264
Reverse recovery time: 315ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -90A
On-state resistance: 44mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 890W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO264
Gate charge: 205nC
Mounting: THT
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1230.50 грн |
3+ | 1080.53 грн |
10+ | 1074.40 грн |
25+ | 1039.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTK90P20P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK90P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 90 A, 0.044 ohm, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 890W, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції IXTK90P20P за ціною від 1010.09 грн до 1824.29 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTK90P20P | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; TO264 Reverse recovery time: 315ns Drain-source voltage: -200V Drain current: -90A On-state resistance: 44mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 890W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Case: TO264 Gate charge: 205nC Mounting: THT Technology: PolarP™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 31 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTK90P20P | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 890W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-264 (IXTK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V |
на замовлення 577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTK90P20P | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 1185 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTK90P20P | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 890W Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTK90P20P | Виробник : Ixys Corporation |
![]() |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
IXTK90P20P Код товару: 166401
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||
![]() |
IXTK90P20P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IXTK90P20P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |