IXTK90P20P
Код товару: 166401
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IXTK90P20P за ціною від 914.84 грн до 1888.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTK90P20P | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; TO264 Case: TO264 Type of transistor: P-MOSFET Mounting: THT Technology: PolarP™ Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -90A Reverse recovery time: 315ns Gate charge: 205nC On-state resistance: 44mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 890W Kind of channel: enhancement |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTK90P20P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET P-CH 200V 90A TO264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 890W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-264 (IXTK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V |
на замовлення 793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTK90P20P | Виробник : IXYS |
MOSFETs -90.0 Amps -200V 0.044 Rds |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| IXTK90P20P |
MOSFET P-CH 200V 90A TO-264 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |