IXTL2N470 IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 4700V 2A I5PAK
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 25 V
на замовлення 722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7525.34 грн |
| 25+ | 6049.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTL2N470 IXYS
Description: MOSFET N-CH 4700V 2A I5PAK, Packaging: Tube, Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 220W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA, Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 4700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTL2N470 за ціною від 7326.83 грн до 8080.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTL2N470 | Виробник : IXYS |
MOSFETs ISOPLUS 4.7KV 2A N-CH HIVOLT |
на замовлення 385 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|