Продукція > LITTELFUSE INC. > IXTL2x180N10T

IXTL2x180N10T Littelfuse Inc.

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixtl2x180n10t_datasheet.pdf.pdf Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 100V 100A I5-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTL2x180N10T Littelfuse Inc.

Description: MOSFET 2N-CH 100V 100A I5-PAK, Packaging: Tube, Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™, Mounting Type: Through Hole, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 150W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 50A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: ISOPLUSi5-Pak™.

Інші пропозиції IXTL2x180N10T

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTL2x180N10T IXTL2x180N10T Виробник : IXYS media-3321466.pdf MOSFETs 180 Amps 100V 6.1 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.