IXTN102N65X2

IXTN102N65X2 Littelfuse Inc.


littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 76A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 595AW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 25 V
на замовлення 246 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2272.04 грн
10+1665.17 грн
100+1494.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTN102N65X2 Littelfuse Inc.

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTN102N65X2 - MOSFET-Transistor, Klasse X2, n-Kanal, 76A, 650V, 0.03 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 595W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 595W, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IXTN102N65X2 за ціною від 1456.04 грн до 2495.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTN102N65X2 IXTN102N65X2 Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTN102N65X2 - MOSFET-Transistor, Klasse X2, n-Kanal, 76A, 650V, 0.03 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 595W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2415.61 грн
5+2101.17 грн
10+1600.23 грн
50+1456.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN102N65X2 IXTN102N65X2 Виробник : IXYS media-3322346.pdf MOSFET Modules MBLOC 650V 76A N-CH X2CLASS
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2495.06 грн
10+1950.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN102N65X2 IXTN102N65X2 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 76A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN102N65X2 IXTN102N65X2 Виробник : IXYS IXTN102N65X2.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 76A; SOT227B; screw; Idm: 204A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 76A
Power dissipation: 595W
Case: SOT227B
On-state resistance: 30mΩ
Gate charge: 152nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 450ns
Pulsed drain current: 204A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: X2-Class
Gate-source voltage: ±40V
Semiconductor structure: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN102N65X2 IXTN102N65X2 Виробник : IXYS IXTN102N65X2.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 650V; 76A; SOT227B; screw; Idm: 204A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 76A
Power dissipation: 595W
Case: SOT227B
On-state resistance: 30mΩ
Gate charge: 152nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 450ns
Pulsed drain current: 204A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Technology: X2-Class
Gate-source voltage: ±40V
Semiconductor structure: single transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.