Продукція > IXYS > IXTN102N65X2
IXTN102N65X2

IXTN102N65X2 IXYS

ixty2n65x2.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 76A SOT227
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 595AW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 51A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2329.97 грн
10+1658.72 грн
100+1459.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTN102N65X2 IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTN102N65X2 - MOSFET-Transistor, Klasse X2, n-Kanal, 76A, 650V, 0.03 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 595W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 595W, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IXTN102N65X2 за ціною від 1864.16 грн до 2406.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTN102N65X2 IXTN102N65X2 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0009901579-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTN102N65X2 - MOSFET-Transistor, Klasse X2, n-Kanal, 76A, 650V, 0.03 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 595W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2376.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN102N65X2 IXTN102N65X2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXTN102N65X2_Datasheet.PDF MOSFET Modules MBLOC 650V 76A N-CH X2CLASS
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2406.42 грн
10+1864.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN102N65X2 LFSI-S-A0009901579-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTN102N65X2
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTN102N65X2 - MOSFET-Transistor, Klasse X2, n-Kanal, 76A, 650V, 0.03 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 595W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2376.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN102N65X2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXTN102N65X2_Datasheet.PDF
IXTN102N65X2
Виробник: IXYS
MOSFET Modules MBLOC 650V 76A N-CH X2CLASS
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2406.42 грн
10+1864.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.