IXTN102N65X2 IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 76A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 595AW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 25 V
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2438.61 грн |
| 10+ | 1736.06 грн |
| 100+ | 1527.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTN102N65X2 IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTN102N65X2 - MOSFET-Transistor, Klasse X2, n-Kanal, 76A, 650V, 0.03 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 595W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 595W, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXTN102N65X2 за ціною від 1515.03 грн до 2619.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTN102N65X2 | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTN102N65X2 - MOSFET-Transistor, Klasse X2, n-Kanal, 76A, 650V, 0.03 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 595W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 595W Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTN102N65X2 | Виробник : IXYS |
MOSFET Modules MBLOC 650V 76A N-CH X2CLASS |
на замовлення 271 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTN102N65X2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 650V 76A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IXTN102N65X2 | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 650V; 76A; SOT227B; screw; Idm: 204A Case: SOT227B Semiconductor structure: single transistor Kind of channel: enhancement Type of semiconductor module: MOSFET transistor Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 204A Drain-source voltage: 650V Drain current: 76A Reverse recovery time: 450ns Gate charge: 152nC On-state resistance: 30mΩ Gate-source voltage: ±40V Power dissipation: 595W |
товару немає в наявності |