IXTN110N20L2 Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 100A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2734.44 грн |
| 30+ | 2582.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTN110N20L2 Littelfuse Inc.
Description: LITTELFUSE - IXTN110N20L2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 100 A, 200 V, 0.024 ohm, 10 V, 4.5 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 735W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 735W, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXTN110N20L2 за ціною від 2207.61 грн до 3437.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTN110N20L2 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTN110N20L2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 100 A, 200 V, 0.024 ohm, 10 V, 4.5 V tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 735W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 735W Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTN110N20L2 | Виробник : IXYS |
MOSFET Modules 100Amps 200V |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTN110N20L2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 100A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IXTN110N20L2 | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 200V; 100A; SOT227B; screw; Idm: 275A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 200V Drain current: 100A Electrical mounting: screw On-state resistance: 24mΩ Pulsed drain current: 275A Power dissipation: 735W Technology: Linear L2™ Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw Gate charge: 500nC Kind of channel: enhancement Case: SOT227B Reverse recovery time: 420ns Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IXTN110N20L2 | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 200V; 100A; SOT227B; screw; Idm: 275A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 200V Drain current: 100A Electrical mounting: screw On-state resistance: 24mΩ Pulsed drain current: 275A Power dissipation: 735W Technology: Linear L2™ Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw Gate charge: 500nC Kind of channel: enhancement Case: SOT227B Reverse recovery time: 420ns Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |