Продукція > IXYS > IXTN110N20L2
IXTN110N20L2

IXTN110N20L2 IXYS

littelfuse-discrete-mosfets-ixtn110n20-datasheet?assetguid=880d095b-d731-445d-a39f-6ab5b5030060
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 100A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTN110N20L2 IXYS

Description: LITTELFUSE - IXTN110N20L2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 100 A, 200 V, 0.024 ohm, 10 V, 4.5 V, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 735W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 735W, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції IXTN110N20L2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTN110N20L2 IXTN110N20L2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Linear_IXTN110N20_Datasheet.PDF MOSFET Modules 100Amps 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN110N20L2 IXTN110N20L2 IXYS IXTN110N20L2.pdf Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 200V; 100A; SOT227B; screw; Idm: 275A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 100A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 24mΩ
Pulsed drain current: 275A
Power dissipation: 735W
Technology: Linear L2™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 500nC
Reverse recovery time: 420ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN110N20L2 IXTN110N20L2 LITTELFUSE littelfuse-discrete-mosfets-ixtn110n20-datasheet?assetguid=880d095b-d731-445d-a39f-6ab5b5030060 Description: LITTELFUSE - IXTN110N20L2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 100 A, 200 V, 0.024 ohm, 10 V, 4.5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 735W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 735W
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN110N20L2 IXTN110N20L2 Littelfuse e-discrete-mosfets-n-channel-linear-ixtn110n20-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 100A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN110N20L2 IXTN110N20L2 Littelfuse e-discrete-mosfets-n-channel-linear-ixtn110n20-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 100A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN110N20L2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Linear_IXTN110N20_Datasheet.PDF
IXTN110N20L2
Виробник: IXYS
MOSFET Modules 100Amps 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN110N20L2 IXTN110N20L2.pdf
IXTN110N20L2
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 200V; 100A; SOT227B; screw; Idm: 275A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 100A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 24mΩ
Pulsed drain current: 275A
Power dissipation: 735W
Technology: Linear L2™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 500nC
Reverse recovery time: 420ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN110N20L2 littelfuse-discrete-mosfets-ixtn110n20-datasheet?assetguid=880d095b-d731-445d-a39f-6ab5b5030060
IXTN110N20L2
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTN110N20L2 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 100 A, 200 V, 0.024 ohm, 10 V, 4.5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 735W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 735W
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN110N20L2 e-discrete-mosfets-n-channel-linear-ixtn110n20-datasheet.pdf
IXTN110N20L2
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 200V 100A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN110N20L2 e-discrete-mosfets-n-channel-linear-ixtn110n20-datasheet.pdf
IXTN110N20L2
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 200V 100A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.