Продукція > IXYS > IXTN120P20T
IXTN120P20T

IXTN120P20T IXYS

DS100402AIXTN120P20T.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 200V 106A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTN120P20T IXYS

Description: MOSFET P-CH 200V 106A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 830W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-227B, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTN120P20T

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTN120P20T IXTN120P20T IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXTN120P20T_Datasheet.PDF MOSFET Modules TrenchP Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN120P20T IXTN120P20T IXYS IXTN120P20T.pdf Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; -200V; -106A; SOT227B; screw; Idm: -400A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -106A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 30mΩ
Pulsed drain current: -400A
Power dissipation: 830W
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 300ns
Gate-source voltage: ±15V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN120P20T IXTN120P20T Littelfuse littelfusediscretemosfetspchannelixtn120p20tdatasheet.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 106A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN120P20T Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXTN120P20T_Datasheet.PDF
IXTN120P20T
Виробник: IXYS
MOSFET Modules TrenchP Power MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN120P20T IXTN120P20T.pdf
IXTN120P20T
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; -200V; -106A; SOT227B; screw; Idm: -400A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -106A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 30mΩ
Pulsed drain current: -400A
Power dissipation: 830W
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 740nC
Reverse recovery time: 300ns
Gate-source voltage: ±15V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN120P20T littelfusediscretemosfetspchannelixtn120p20tdatasheet.pdf
IXTN120P20T
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 200V 106A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.