на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1967.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTN170P10P Littelfuse
Description: MOSFET P-CH 100V 170A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 890W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTN170P10P за ціною від 1644.86 грн до 2900.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTN170P10P | Виробник : IXYS |
 MOSFET Modules -170.0 Amps -100V 0.012 Rds |
на замовлення 420 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTN170P10P | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET P-CH 100V 170A SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 890W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V |
на замовлення 286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTN170P10P | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTN170P10P - MOSFET, P-CH, 100V, 170A, SOT-227 tariffCode: 0 Transistormontage: Module Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 890W Bauform - Transistor: SOT-227 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: PolarP Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTN170P10P | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; -100V; -170A; SOT227B; screw; Idm: -510A Technology: PolarP™ Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: single transistor Pulsed drain current: -510A Drain-source voltage: -100V Drain current: -170A Gate charge: 240nC Reverse recovery time: 176ns On-state resistance: 14mΩ Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 890W Electrical mounting: screw Case: SOT227B Kind of channel: enhancement Type of semiconductor module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 300 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IXTN170P10P | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; -100V; -170A; SOT227B; screw; Idm: -510A Technology: PolarP™ Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: single transistor Pulsed drain current: -510A Drain-source voltage: -100V Drain current: -170A Gate charge: 240nC Reverse recovery time: 176ns On-state resistance: 14mΩ Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 890W Electrical mounting: screw Case: SOT227B Kind of channel: enhancement Type of semiconductor module: MOSFET transistor |
товару немає в наявності |