на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2997.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTN200N10L2 Littelfuse
Description: LITTELFUSE - IXTN200N10L2 - MOSFET, N-CH, 100V, 178A, SOT-227, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Module, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 178A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830W, Bauform - Transistor: SOT-227, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: LinearL2 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Інші пропозиції IXTN200N10L2 за ціною від 2542.81 грн до 4201.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTN200N10L2 | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 178A SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 178A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 830W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V |
на замовлення 837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTN200N10L2 | Виробник : IXYS |
 Discrete Semiconductor Modules Linear L2 Pwr MOSFET w/Extended FBSOA |
на замовлення 955 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTN200N10L2 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTN200N10L2 - MOSFET, N-CH, 100V, 178A, SOT-227 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Module Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 178A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 830W Bauform - Transistor: SOT-227 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: LinearL2 Series productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTN200N10L2 | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 100V; 178A; SOT227B; screw; Idm: 500A Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 178A Power dissipation: 830W Case: SOT227B On-state resistance: 11mΩ Gate charge: 540nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 245ns Pulsed drain current: 500A Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: Linear L2™ Gate-source voltage: ±30V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IXTN200N10L2 | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 100V; 178A; SOT227B; screw; Idm: 500A Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 178A Power dissipation: 830W Case: SOT227B On-state resistance: 11mΩ Gate charge: 540nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 245ns Pulsed drain current: 500A Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: Linear L2™ Gate-source voltage: ±30V |
товару немає в наявності |