на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2989.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTN200N10L2 Littelfuse
Description: MOSFET N-CH 100V 178A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 178A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 830W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTN200N10L2 за ціною від 2339.26 грн до 4191.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTN200N10L2 | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 178A SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 178A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 830W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V |
на замовлення 508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTN200N10L2 | Виробник : IXYS |
 Discrete Semiconductor Modules Linear L2 Pwr MOSFET w/Extended FBSOA |
на замовлення 955 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTN200N10L2 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTN200N10L2 - MOSFET, N-CH, 100V, 178A, SOT-227 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Module Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 178A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 830W Bauform - Transistor: SOT-227 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: LinearL2 Series productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 74 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXTN200N10L2 | Виробник : IXYS | IXTN200N10L2 Transistor modules MOSFET |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|