Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTN200N10L2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 178A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 178A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 830W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTN200N10L2 за ціною від 2267.51 грн до 3316.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTN200N10L2 | Виробник : IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 100V 178A SOT227BPackaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 178A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 830W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA Supplier Device Package: SOT-227B Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V |
на замовлення 654 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|