на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2296.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTN200N10T IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 200A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 550W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTN200N10T за ціною від 1704.75 грн до 2663.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTN200N10T | Виробник : IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 100V 200A SOT227BPackaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 550W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXTN200N10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IXTN200N10T | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 100V; 200A; SOT227B; screw; Idm: 500A Technology: TrenchMV™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 200A Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 550W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 5.5mΩ Gate charge: 152nC Kind of channel: enhancement Electrical mounting: screw Type of semiconductor module: MOSFET transistor Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 76ns |
товару немає в наявності |