на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2795.41 грн |
| 10+ | 2448.37 грн |
| 20+ | 1986.15 грн |
| 50+ | 1924.06 грн |
| 100+ | 1861.97 грн |
| 200+ | 1830.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTN200N10T IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 200A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 550W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTN200N10T за ціною від 2898.1 грн до 2898.1 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTN200N10T | Виробник : IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 100V 200A SOT227BPackaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 550W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
IXTN200N10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
|||||
 |
IXTN200N10T | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 100V; 200A; SOT227B; screw; Idm: 500A Technology: TrenchMV™ Case: SOT227B On-state resistance: 5.5mΩ Power dissipation: 550W Drain current: 200A Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Gate charge: 152nC Drain-source voltage: 100V Reverse recovery time: 76ns Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Semiconductor structure: single transistor Pulsed drain current: 500A Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||
|
|
IXTN200N10T | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 100V; 200A; SOT227B; screw; Idm: 500A Technology: TrenchMV™ Case: SOT227B On-state resistance: 5.5mΩ Power dissipation: 550W Drain current: 200A Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Gate charge: 152nC Drain-source voltage: 100V Reverse recovery time: 76ns Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Semiconductor structure: single transistor Pulsed drain current: 500A Polarisation: unipolar |
товар відсутній |