IXTN200N10T Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 200A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 550W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1915.51 грн |
| 10+ | 1808.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTN200N10T Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 200A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 550W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTN200N10T за ціною від 2206.68 грн до 2206.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTN200N10T | Виробник : IXYS |
MOSFET Modules 100V 200A |
на замовлення 213 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||
 |
IXTN200N10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||
 |
IXTN200N10T | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 100V; 200A; SOT227B; screw; Idm: 500A Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 200A Power dissipation: 550W Case: SOT227B On-state resistance: 5.5mΩ Gate charge: 152nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 76ns Pulsed drain current: 500A Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: TrenchMV™ Gate-source voltage: ±30V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
IXTN200N10T | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 100V; 200A; SOT227B; screw; Idm: 500A Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 200A Power dissipation: 550W Case: SOT227B On-state resistance: 5.5mΩ Gate charge: 152nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 76ns Pulsed drain current: 500A Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: TrenchMV™ Gate-source voltage: ±30V |
товару немає в наявності |