IXTN200N10T IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 200A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 550W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3005.59 грн |
| 10+ | 2165.01 грн |
| 50+ | 1854.60 грн |
| 100+ | 1734.43 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTN200N10T IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 200A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 550W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTN200N10T
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTN200N10T | IXYS |
MOSFET Modules 100V 200A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
IXTN200N10T | IXYS |
Category: Transistor modules Description: Module; single transistor; 100V; 200A; SOT227B; screw; Idm: 500A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 100V Drain current: 200A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 5.5mΩ Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 550W Technology: TrenchMV™ Kind of channel: enhancement Gate charge: 152nC Reverse recovery time: 76ns Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IXTN200N10T | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
IXTN200N10T | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
IXTN200N10T | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
| IXTN200N10T |
|
Виробник: IXYS
MOSFET Modules 100V 200A
MOSFET Modules 100V 200A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IXTN200N10T |
|
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 100V; 200A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.5mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 550W
Technology: TrenchMV™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 76ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 100V; 200A; SOT227B; screw; Idm: 500A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.5mΩ
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 550W
Technology: TrenchMV™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 76ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXTN200N10T |
|
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IXTN200N10T |
|
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IXTN200N10T |
|
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.