IXTN210P10T IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 100V 210A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69500 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3224.58 грн |
| 10+ | 2345.02 грн |
| 100+ | 2203.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTN210P10T IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTN210P10T - MOSFET-Transistor, p-Kanal, 210A, 100V, 0.0075 Ohm, 10V, 4.5V, SOT-227B, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Verlustleistung Pd: 830W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 830W, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017), Produktpalette: TrenchP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm.
Інші пропозиції IXTN210P10T за ціною від 4967.53 грн до 4967.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTN210P10T | IXYS |
MOSFET Modules TrenchP Channel Power MOSFETs |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
 |
IXTN210P10T | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTN210P10T - MOSFET-Transistor, p-Kanal, 210A, 100V, 0.0075 Ohm, 10V, 4.5V, SOT-227B tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Verlustleistung Pd: 830W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 830W SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) Produktpalette: TrenchP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm |
на замовлення 56 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
| IXTN210P10T | Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 210A 4-Pin SOT-227B |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IXTN210P10T |
|
Виробник: IXYS
MOSFET Modules TrenchP Channel Power MOSFETs
MOSFET Modules TrenchP Channel Power MOSFETs
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IXTN210P10T |
|
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTN210P10T - MOSFET-Transistor, p-Kanal, 210A, 100V, 0.0075 Ohm, 10V, 4.5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 830W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 830W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTN210P10T - MOSFET-Transistor, p-Kanal, 210A, 100V, 0.0075 Ohm, 10V, 4.5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 830W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 830W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IXTN210P10T |
|
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 100V 210A 4-Pin SOT-227B
Trans MOSFET P-CH 100V 210A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 4967.53 грн |