Продукція > IXYS > IXTN210P10T
IXTN210P10T

IXTN210P10T IXYS

DS100408AIXTN210P10T.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 100V 210A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69500 pF @ 25 V
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3217.42 грн
10+2339.81 грн
100+2199.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTN210P10T IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTN210P10T - MOSFET-Transistor, p-Kanal, 210A, 100V, 0.0075 Ohm, 10V, 4.5V, SOT-227B, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Verlustleistung Pd: 830W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 830W, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017), Produktpalette: TrenchP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm.

Інші пропозиції IXTN210P10T

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTN210P10T IXTN210P10T IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007925131-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTN210P10T - MOSFET-Transistor, p-Kanal, 210A, 100V, 0.0075 Ohm, 10V, 4.5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 830W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 830W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN210P10T IXTN210P10T IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXTN210P10T_Datasheet.PDF MOSFET Modules TrenchP Channel Power MOSFETs
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN210P10T LFSI-S-A0007925131-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTN210P10T
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTN210P10T - MOSFET-Transistor, p-Kanal, 210A, 100V, 0.0075 Ohm, 10V, 4.5V, SOT-227B
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 830W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 830W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN210P10T Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXTN210P10T_Datasheet.PDF
IXTN210P10T
Виробник: IXYS
MOSFET Modules TrenchP Channel Power MOSFETs
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.