Технічний опис IXTN21N100 IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 520W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTN21N100
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTN21N100 | Виробник : IXYS |
 MODULE |
на замовлення 220 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IXTN21N100 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
 |
IXTN21N100 | Виробник : IXYS |
Discrete Semiconductor Modules 21 Amps 100V 0.55 Ohm Rds |
товар відсутній |