на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4251.17 грн |
| 10+ | 4045.27 грн |
| 20+ | 3400.20 грн |
| 50+ | 3347.36 грн |
| 100+ | 3314.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTN22N100L IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 22A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 11A, 20V, Power Dissipation (Max): 700W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7050 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTN22N100L
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTN22N100L | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 1KV 22A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|
| IXTN22N100L | Виробник : IXYS |
IXTN22N100L Transistor modules MOSFET |
товару немає в наявності |
||
 |
IXTN22N100L | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 1000V 22A SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 11A, 20V Power Dissipation (Max): 700W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7050 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |