Продукція > IXYS > IXTN22N100L
IXTN22N100L

IXTN22N100L IXYS

DS99811BIXTN22N100L.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 22A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 11A, 20V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7050 pF @ 25 V
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4647.38 грн
10+3434.38 грн
50+3157.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTN22N100L IXYS

Description: MOSFET N-CH 1000V 22A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 11A, 20V, Power Dissipation (Max): 700W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7050 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTN22N100L

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTN22N100L IXTN22N100L IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Linear_IXTN22N100L_Datasheet.PDF MOSFET Modules 22 Amps 1000V
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN22N100L IXTN22N100L LITTELFUSE 4598150.pdf Description: LITTELFUSE - IXTN22N100L - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 22 A, 1 kV, 0.6 ohm, 20 V, 5.5 V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 700W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produktpalette: Linear Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN22N100L Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Linear_IXTN22N100L_Datasheet.PDF
IXTN22N100L
Виробник: IXYS
MOSFET Modules 22 Amps 1000V
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN22N100L 4598150.pdf
IXTN22N100L
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTN22N100L - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 22 A, 1 kV, 0.6 ohm, 20 V, 5.5 V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 700W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produktpalette: Linear Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.