на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5752.36 грн |
| 10+ | 4540.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTN30N100L IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 30A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 15A, 20V, Power Dissipation (Max): 800W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-227B, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 545 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTN30N100L
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTN30N100L | Виробник : IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 1000V 30A SOT227BPackaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 15A, 20V Power Dissipation (Max): 800W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-227B Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 545 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |