Технічний опис IXTN320N10T IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 320A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc), Power Dissipation (Max): 680W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V.
Інші пропозиції IXTN320N10T
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTN320N10T | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 100V 320A SOT-227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc) Power Dissipation (Max): 680W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-227B Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTN320N10T | Виробник : IXYS |
 Discrete Semiconductor Modules 320 Amps 100V |
товару немає в наявності |