Технічний опис IXTN320N10T IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 320A SOT-227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc), Power Dissipation (Max): 680W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V.
Інші пропозиції IXTN320N10T
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTN320N10T | MOSFET N-CH 100V 320A SOT-227B Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
 |
IXTN320N10T | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 100V 320A SOT-227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc) Power Dissipation (Max): 680W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-227B Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IXTN320N10T | IXYS |
 Discrete Semiconductor Modules 320 Amps 100V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IXTN320N10T |
MOSFET N-CH 100V 320A SOT-227B Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXTN320N10T |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 320A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc)
Power Dissipation (Max): 680W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Description: MOSFET N-CH 100V 320A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc)
Power Dissipation (Max): 680W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXTN320N10T |
|
Виробник: IXYS
Discrete Semiconductor Modules 320 Amps 100V
Discrete Semiconductor Modules 320 Amps 100V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.