Продукція > LITTELFUSE > IXTN40P50P
IXTN40P50P

IXTN40P50P LITTELFUSE

littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtn40p50p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTN40P50P - MOSFET-Transistor, p-Kanal, 40 A, 500 V, 0.23 ohm, 10 V, 4.5 V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 890W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 890W
SVHC: To Be Advised
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2626.40 грн
5+2484.65 грн
10+2342.90 грн
50+2043.93 грн
100+1765.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTN40P50P LITTELFUSE

Description: LITTELFUSE - IXTN40P50P - MOSFET-Transistor, p-Kanal, 40 A, 500 V, 0.23 ohm, 10 V, 4.5 V, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Verlustleistung Pd: 890W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 890W, SVHC: To Be Advised, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, usEccn: EAR99, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm.

Інші пропозиції IXTN40P50P за ціною від 2202.26 грн до 2780.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTN40P50P IXTN40P50P Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtn40p50p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET P-CH 500V 40A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2632.01 грн
10+2252.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN40P50P IXTN40P50P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXTN40P50P_Datasheet.PDF MOSFET Modules -40.0 Amps -500V 0.230 Rds
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2780.23 грн
10+2202.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN40P50P littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtn40p50p_datasheet.pdf.pdf
IXTN40P50P
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET P-CH 500V 40A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2632.01 грн
10+2252.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN40P50P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXTN40P50P_Datasheet.PDF
IXTN40P50P
Виробник: IXYS
MOSFET Modules -40.0 Amps -500V 0.230 Rds
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2780.23 грн
10+2202.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.