Продукція > IXYS > IXTN40P50P
IXTN40P50P

IXTN40P50P IXYS


media-3320301.pdf Виробник: IXYS
MOSFET Modules -40.0 Amps -500V 0.230 Rds
на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2679.60 грн
10+2165.00 грн
20+1837.73 грн
50+1764.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTN40P50P IXYS

Description: MOSFET P-CH 500V 40A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 890W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTN40P50P за ціною від 1626.99 грн до 2757.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTN40P50P IXTN40P50P Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtn40p50p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET P-CH 500V 40A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2697.00 грн
10+2307.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN40P50P IXTN40P50P Виробник : LITTELFUSE littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtn40p50p_datasheet.pdf.pdf Description: LITTELFUSE - IXTN40P50P - MOSFET-Transistor, p-Kanal, 40 A, 500 V, 0.23 ohm, 10 V, 4.5 V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 890W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890W
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2757.27 грн
5+2402.40 грн
10+2046.70 грн
50+1831.54 грн
100+1626.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN40P50P IXTN40P50P Виробник : Littelfuse fuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtn40p50p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 40A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTN40P50P Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixtn40p50p_datasheet.pdf.pdf IXTN40P50P Transistor modules MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.