| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 4341.37 грн |
| 100+ | 3081.89 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTN550N055T2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 55V 550A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 940W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 595 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTN550N055T2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTN550N055T2 | IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 55V 550A SOT227BPackaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 940W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 595 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
IXTN550N055T2 | IXYS |
Category: Transistor modules Description: Module; single transistor; 55V; 550A; SOT227B; screw; Idm: 1.65kA Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 55V Drain current: 550A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 1.3mΩ Pulsed drain current: 1.65kA Power dissipation: 940W Technology: GigaMOS™; TrenchT2™ Kind of channel: enhancement Gate charge: 595nC Reverse recovery time: 100ns Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IXTN550N055T2 | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 55V 550A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
IXTN550N055T2 | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 55V 550A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
| IXTN550N055T2 |
|
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 55V 550A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 940W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 595 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 550A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 940W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 595 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IXTN550N055T2 |
|
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 55V; 550A; SOT227B; screw; Idm: 1.65kA
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 550A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.3mΩ
Pulsed drain current: 1.65kA
Power dissipation: 940W
Technology: GigaMOS™; TrenchT2™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 595nC
Reverse recovery time: 100ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 55V; 550A; SOT227B; screw; Idm: 1.65kA
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 550A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.3mΩ
Pulsed drain current: 1.65kA
Power dissipation: 940W
Technology: GigaMOS™; TrenchT2™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 595nC
Reverse recovery time: 100ns
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXTN550N055T2 |
|
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 55V 550A 4-Pin SOT-227B
Trans MOSFET N-CH 55V 550A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IXTN550N055T2 |
|
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 55V 550A 4-Pin SOT-227B
Trans MOSFET N-CH 55V 550A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.