Продукція > LITTELFUSE INC. > IXTN5N250
IXTN5N250

IXTN5N250 Littelfuse Inc.

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtn5n250_datasheet.pdf.pdf Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 2500V 5A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8560 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTN5N250 Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 2500V 5A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8Ohm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 700W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8560 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTN5N250

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTN5N250 IXTN5N250 Виробник : IXYS ixyss05247_1-2272034.pdf Discrete Semiconductor Modules 2500V 5A HV Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.