IXTN600N04T2 IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 600A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 940W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 590 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2402.68 грн |
| 10+ | 2055.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTN600N04T2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 40V 600A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 940W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 590 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTN600N04T2 за ціною від 1641.66 грн до 2876.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTN600N04T2 | Виробник : IXYS |
Discrete Semiconductor Modules GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET |
на замовлення 601 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTN600N04T2 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTN600N04T2 - MOSFET, N-CH, 40V, 600A, SOT-227 Transistormontage: Module Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 600 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 940 Bauform - Transistor: SOT-227 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: TrenchT2 GigaMOS Series Wandlerpolarität: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 3.5 SVHC: To Be Advised |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTN600N04T2 | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 40V; 600A; SOT227B; screw; Idm: 1.8kA Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar Case: SOT227B Drain current: 600A On-state resistance: 1.3mΩ Power dissipation: 940W Type of module: MOSFET transistor Gate charge: 590nC Technology: GigaMOS™; TrenchT2™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 1.8kA Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 100ns Drain-source voltage: 40V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IXTN600N04T2 | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 40V; 600A; SOT227B; screw; Idm: 1.8kA Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar Case: SOT227B Drain current: 600A On-state resistance: 1.3mΩ Power dissipation: 940W Type of module: MOSFET transistor Gate charge: 590nC Technology: GigaMOS™; TrenchT2™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 1.8kA Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 100ns Drain-source voltage: 40V |
товар відсутній |