IXTN600N04T2 IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 40V 600A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 940W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 590 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2409.63 грн |
| 10+ | 1719.51 грн |
| 100+ | 1524.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTN600N04T2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 40V 600A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 940W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-227B, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 590 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTN600N04T2 за ціною від 1693.25 грн до 2608.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTN600N04T2 | Виробник : IXYS |
MOSFET Modules GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET |
на замовлення 2116 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|