IXTN60N50L2 Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 53A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 610 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3866.55 грн |
| 10+ | 2811.91 грн |
| 100+ | 2643.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTN60N50L2 Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 500V 53A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 735W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 610 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTN60N50L2 за ціною від 2760.21 грн до 4167.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTN60N50L2 | Виробник : IXYS |
MOSFET Modules 60 Amps 500V |
на замовлення 135 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXTN60N50L2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 53A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IXTN60N50L2 | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 500V; 53A; SOT227B; screw; Idm: 150A Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 53A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 735W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 0.1Ω Gate charge: 610nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 980ns Technology: Linear L2™ Type of semiconductor module: MOSFET transistor Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Semiconductor structure: single transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
IXTN60N50L2 | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 500V; 53A; SOT227B; screw; Idm: 150A Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 53A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 735W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 0.1Ω Gate charge: 610nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 980ns Technology: Linear L2™ Type of semiconductor module: MOSFET transistor Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Semiconductor structure: single transistor |
товару немає в наявності |