на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 5046.57 грн |
| 10+ | 4508.17 грн |
| 20+ | 3843.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTN62N50L IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 62A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 20V, Power Dissipation (Max): 800W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-227B, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 550 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTN62N50L
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTN62N50L Код товару: 29989 |
 Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||
 |
IXTN62N50L | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 62A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |
|
 |
IXTN62N50L | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 500V; 62A; SOT227B; screw; Idm: 150A Technology: Linear™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 62A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 800W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 0.1Ω Gate charge: 550nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 0.5µs Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IXTN62N50L | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 500V 62A SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 20V Power Dissipation (Max): 800W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-227B Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 550 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
IXTN62N50L | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 500V; 62A; SOT227B; screw; Idm: 150A Technology: Linear™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 62A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 800W Case: SOT227B Gate-source voltage: ±40V On-state resistance: 0.1Ω Gate charge: 550nC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 0.5µs Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor |
товар відсутній |