Продукція > IXYS > IXTN660N04T4
IXTN660N04T4

IXTN660N04T4 IXYS


IXTN660N04T4.pdf Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 40V; 660A; SOT227B; screw; Idm: 1.8kA
Technology: TrenchT4™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 660A
Pulsed drain current: 1.8kA
Power dissipation: 1.04kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.85mΩ
Gate charge: 0.86µC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 60ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
на замовлення 33 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1653.21 грн
2+ 1451.88 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTN660N04T4 IXYS

Description: LITTELFUSE - IXTN660N04T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 660 A, 0.00085 ohm, SOT-227, Modul, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Modul, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 660A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.04kW, Bauform - Transistor: SOT-227, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchT4 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції IXTN660N04T4 за ціною від 1354.51 грн до 2193.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTN660N04T4 IXTN660N04T4 Виробник : IXYS IXTN660N04T4.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 40V; 660A; SOT227B; screw; Idm: 1.8kA
Technology: TrenchT4™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 660A
Pulsed drain current: 1.8kA
Power dissipation: 1.04kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.85mΩ
Gate charge: 0.86µC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 60ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1983.85 грн
2+ 1809.26 грн
IXTN660N04T4 IXTN660N04T4 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixtn660n04t4_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 660A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 860 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44000 pF @ 25 V
на замовлення 1187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2012.69 грн
10+ 1722.35 грн
100+ 1506.45 грн
IXTN660N04T4 IXTN660N04T4 Виробник : LITTELFUSE littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixtn660n04t4_datasheet.pdf.pdf Description: LITTELFUSE - IXTN660N04T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 660 A, 0.00085 ohm, SOT-227, Modul
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Modul
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 660A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: SOT-227
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchT4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2128.33 грн
10+ 1962.48 грн
30+ 1819.8 грн
100+ 1556.62 грн
IXTN660N04T4 IXTN660N04T4 Виробник : IXYS media-3319638.pdf Discrete Semiconductor Modules 40V/660A TrenchT4 Power MOSFET
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2193.26 грн
10+ 1939.07 грн
20+ 1623.55 грн
50+ 1602.91 грн
100+ 1474.38 грн
200+ 1419.77 грн
500+ 1354.51 грн
IXTN660N04T4 IXTN660N04T4 Виробник : Littelfuse mosfets_n-channel_trench_gate_ixtn660n04t4_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 660A 4-Pin SOT-227B
товар відсутній