IXTN660N04T4 IXYS
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 40V; 660A; SOT227B; screw; Idm: 1.8kA
Technology: TrenchT4™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 660A
Pulsed drain current: 1.8kA
Power dissipation: 1.04kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.85mΩ
Gate charge: 0.86µC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 60ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 40V; 660A; SOT227B; screw; Idm: 1.8kA
Technology: TrenchT4™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 660A
Pulsed drain current: 1.8kA
Power dissipation: 1.04kW
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.85mΩ
Gate charge: 0.86µC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 60ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1653.21 грн |
2+ | 1451.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTN660N04T4 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTN660N04T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 660 A, 0.00085 ohm, SOT-227, Modul, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Modul, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 660A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.04kW, Bauform - Transistor: SOT-227, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchT4 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції IXTN660N04T4 за ціною від 1354.51 грн до 2193.26 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXTN660N04T4 | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 40V; 660A; SOT227B; screw; Idm: 1.8kA Technology: TrenchT4™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 660A Pulsed drain current: 1.8kA Power dissipation: 1.04kW Case: SOT227B Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 0.85mΩ Gate charge: 0.86µC Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Reverse recovery time: 60ns Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 33 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IXTN660N04T4 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 40V 660A SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 1040W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 860 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44000 pF @ 25 V |
на замовлення 1187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IXTN660N04T4 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTN660N04T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 660 A, 0.00085 ohm, SOT-227, Modul tariffCode: 85412100 Transistormontage: Modul Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 660A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.04kW Bauform - Transistor: SOT-227 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchT4 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IXTN660N04T4 | Виробник : IXYS | Discrete Semiconductor Modules 40V/660A TrenchT4 Power MOSFET |
на замовлення 1780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IXTN660N04T4 | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 40V 660A 4-Pin SOT-227B |
товар відсутній |