IXTN660N04T4 IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 660A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 860 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44000 pF @ 25 V
на замовлення 1187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2223.49 грн |
| 10+ | 1902.73 грн |
| 100+ | 1664.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTN660N04T4 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTN660N04T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 660 A, 0.00085 ohm, SOT-227, Modul, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Modul, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 660A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.04kW, Bauform - Transistor: SOT-227, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchT4 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції IXTN660N04T4 за ціною від 1719.66 грн до 2351.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTN660N04T4 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTN660N04T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 660 A, 0.00085 ohm, SOT-227, Modul tariffCode: 85412100 Transistormontage: Modul Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 660A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.04kW Bauform - Transistor: SOT-227 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchT4 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTN660N04T4 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 40V 660A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IXTN660N04T4 | Виробник : IXYS |
MOSFET Modules 40V/660A TrenchT4 Power MOSFET |
товару немає в наявності |