Технічний опис IXTN79N20 IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 85A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc), Power Dissipation (Max): 400W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V.
Інші пропозиції IXTN79N20
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTN79N20 | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 200V 85A SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Power Dissipation (Max): 400W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA Supplier Device Package: SOT-227B Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
IXTN79N20 | IXYS | MOSFET Modules 79 Amps 200V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IXTN79N20 |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 85A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Description: MOSFET N-CH 200V 85A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.