| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3339.39 грн |
| 10+ | 2425.91 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTN90P20P IXYS
Description: MOSFET P-CH 200V 90A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 890W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-227B, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTN90P20P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTN90P20P | IXYS |
 Description: MOSFET P-CH 200V 90A SOT227BPackaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 890W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IXTN90P20P | IXYS |
Category: Transistor modules Description: Module; single transistor; -200V; -90A; SOT227B; screw; Idm: -270A Case: SOT227B Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -200V Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Gate-source voltage: ±30V Semiconductor structure: single transistor On-state resistance: 44mΩ Reverse recovery time: 315ns Pulsed drain current: -270A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Power dissipation: 890W Gate charge: 205nC Polarisation: unipolar Technology: PolarP™ Drain current: -90A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
IXTN90P20P | Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 200V 90A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
IXTN90P20P | Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 200V 90A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
| IXTN90P20P |
|
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 200V 90A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 200V 90A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXTN90P20P |
|
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; -200V; -90A; SOT227B; screw; Idm: -270A
Case: SOT227B
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±30V
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 44mΩ
Reverse recovery time: 315ns
Pulsed drain current: -270A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Power dissipation: 890W
Gate charge: 205nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
Drain current: -90A
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; -200V; -90A; SOT227B; screw; Idm: -270A
Case: SOT227B
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Gate-source voltage: ±30V
Semiconductor structure: single transistor
On-state resistance: 44mΩ
Reverse recovery time: 315ns
Pulsed drain current: -270A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Power dissipation: 890W
Gate charge: 205nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
Drain current: -90A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IXTN90P20P |
|
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 200V 90A 4-Pin SOT-227B
Trans MOSFET P-CH 200V 90A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IXTN90P20P |
|
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 200V 90A 4-Pin SOT-227B
Trans MOSFET P-CH 200V 90A 4-Pin SOT-227B
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.