Продукція > LITTELFUSE > IXTP01N100D
IXTP01N100D

IXTP01N100D Littelfuse

media.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
300+376.71 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP01N100D Littelfuse

Description: MOSFET N-CH 1000V 400MA TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 0V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTP01N100D за ціною від 265.99 грн до 908.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTP01N100D IXTP01N100D IXYS IXTP(Y)01N100D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO220AB; 2ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 25W
Case: TO220AB
On-state resistance: 80Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 2ns
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+531.56 грн
10+425.45 грн
25+350.67 грн
50+327.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP01N100D IXTP01N100D IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-01n100d-datasheet?assetguid=90f68c0c-66ed-4288-bfb0-3c2769323c27 Description: MOSFET N-CH 1000V 400MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+551.41 грн
50+289.31 грн
100+265.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP01N100D IXTP01N100D IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-depletion-mode-ixt-01n100d-datasheet.pdf MOSFETs 0.1 Amps 1000V 110 Rds
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+663.65 грн
10+369.16 грн
100+294.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP01N100D IXTP01N100D Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+665.90 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP01N100D IXTP01N100D Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+908.90 грн
19+784.54 грн
25+645.62 грн
50+581.74 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP01N100D IXTP(Y)01N100D.pdf
IXTP01N100D
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO220AB; 2ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 25W
Case: TO220AB
On-state resistance: 80Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 2ns
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+531.56 грн
10+425.45 грн
25+350.67 грн
50+327.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP01N100D littelfuse-discrete-mosfets-ixt-01n100d-datasheet?assetguid=90f68c0c-66ed-4288-bfb0-3c2769323c27
IXTP01N100D
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 400MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+551.41 грн
50+289.31 грн
100+265.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP01N100D littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-depletion-mode-ixt-01n100d-datasheet.pdf
IXTP01N100D
Виробник: IXYS
MOSFETs 0.1 Amps 1000V 110 Rds
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+663.65 грн
10+369.16 грн
100+294.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP01N100D media.pdf
IXTP01N100D
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
300+665.90 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP01N100D media.pdf
IXTP01N100D
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+908.90 грн
19+784.54 грн
25+645.62 грн
50+581.74 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.