Технічний опис IXTP01N100D Littelfuse
Description: MOSFET N-CH 1000V 400MA TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 0V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP01N100D за ціною від 259.37 грн до 872.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXTP01N100D | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXTP01N100D | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO220AB; 2ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 0.1A Power dissipation: 25W Case: TO220AB On-state resistance: 80Ω Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 2ns |
на замовлення 292 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXTP01N100D | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1000V 400MA TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 0V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V |
на замовлення 474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXTP01N100D | Виробник : IXYS |
MOSFETs 0.1 Amps 1000V 110 Rds |
на замовлення 407 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXTP01N100D | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
на замовлення 292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXTP01N100D | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товару немає в наявності |



