IXTP01N100D IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO220AB; 2ns
Kind of package: tube
Gate charge: 0.1µC
Kind of channel: depletion
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 2ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
On-state resistance: 80Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 470.10 грн |
| 3+ | 331.02 грн |
| 8+ | 313.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP01N100D IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTP01N100D - MOSFET, N-CH, 1KV, 0.4A, TO-220, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Startech USB to DC Barrel Leads, productTraceability: No, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 50ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Інші пропозиції IXTP01N100D за ціною від 273.01 грн до 653.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXTP01N100D | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO220AB; 2ns Kind of package: tube Gate charge: 0.1µC Kind of channel: depletion Mounting: THT Case: TO220AB Reverse recovery time: 2ns Drain-source voltage: 1kV Drain current: 0.1A On-state resistance: 80Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 25W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 105 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTP01N100D | Виробник : IXYS |
MOSFETs 0.1 Amps 1000V 110 Rds |
на замовлення 300 шт: термін постачання 441-450 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTP01N100D | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTP01N100D | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTP01N100D - MOSFET, N-CH, 1KV, 0.4A, TO-220 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Startech USB to DC Barrel Leads productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 50ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
 |
IXTP01N100D | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220AD |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IXTP01N100D | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IXTP01N100D | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 1000V 400MA TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 0V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |