Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IXTP02N120P

IXTP02N120P

littelfuse-discrete-mosfets-ixt-02n120p-datasheet?assetguid=28c53e8f-de75-400b-95e2-28ff1adfa0e0
Код товару: 161462
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IXTP02N120P за ціною від 97.46 грн до 286.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTP02N120P IXTP02N120P Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+164.62 грн
500+139.69 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP02N120P IXTP02N120P Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+164.62 грн
500+139.69 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP02N120P IXTP02N120P Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+180.31 грн
82+173.45 грн
100+167.56 грн
250+156.67 грн
500+141.12 грн
1000+132.16 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP02N120P IXTP02N120P Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+190.18 грн
86+165.38 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP02N120P IXTP02N120P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-02n120p-datasheet?assetguid=28c53e8f-de75-400b-95e2-28ff1adfa0e0 Description: MOSFET N-CH 1200V 200MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+286.43 грн
10+181.02 грн
50+140.11 грн
100+119.13 грн
500+97.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP02N120P IXTP02N120P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_02N120P_Datasheet.PDF MOSFETs 500V to 1200V Polar Power MOSFET
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP02N120P IXTP02N120P LITTELFUSE IXYS-S-A0008595721-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTP02N120P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 200 mA, 75 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Polar
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 75ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP02N120P media.pdf
IXTP02N120P
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
87+164.62 грн
500+139.69 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP02N120P media.pdf
IXTP02N120P
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
300+164.62 грн
500+139.69 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP02N120P media.pdf
IXTP02N120P
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
79+180.31 грн
82+173.45 грн
100+167.56 грн
250+156.67 грн
500+141.12 грн
1000+132.16 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP02N120P media.pdf
IXTP02N120P
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
75+190.18 грн
86+165.38 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP02N120P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-02n120p-datasheet?assetguid=28c53e8f-de75-400b-95e2-28ff1adfa0e0
IXTP02N120P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1200V 200MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+286.43 грн
10+181.02 грн
50+140.11 грн
100+119.13 грн
500+97.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP02N120P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_02N120P_Datasheet.PDF
IXTP02N120P
Виробник: IXYS
MOSFETs 500V to 1200V Polar Power MOSFET
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP02N120P IXYS-S-A0008595721-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTP02N120P
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTP02N120P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 200 mA, 75 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Polar
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 75ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.