на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 506.52 грн |
| 10+ | 397.40 грн |
| 50+ | 297.98 грн |
| 100+ | 268.69 грн |
| 250+ | 248.19 грн |
| 1000+ | 240.87 грн |
| 2500+ | 237.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP02N50D IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 200MA TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 50mA, 0V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 25µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP02N50D
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTP02N50D | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH Si 500V 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|
| IXTP02N50D | Виробник : IXYS |
IXTP02N50D THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
||
 |
IXTP02N50D | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 500V 200MA TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 50mA, 0V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 25µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |