на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 480.14 грн |
10+ | 397.46 грн |
50+ | 326.31 грн |
100+ | 279.69 грн |
250+ | 263.71 грн |
500+ | 248.39 грн |
1000+ | 213.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP02N50D IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 200MA TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 50mA, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 25µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP02N50D за ціною від 226.06 грн до 498.49 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXTP02N50D | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 500V 200MA TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 50mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 25µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V |
на замовлення 7935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP02N50D | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH Si 500V 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IXTP02N50D | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.2A; 25W; TO220AB; 5ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 0.2A Power dissipation: 25W Case: TO220AB On-state resistance: 30Ω Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 5ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IXTP02N50D | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.2A; 25W; TO220AB; 5ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 0.2A Power dissipation: 25W Case: TO220AB On-state resistance: 30Ω Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 5ns |
товар відсутній |