IXTP05N100 IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 309.19 грн |
| 50+ | 152.84 грн |
| 100+ | 138.79 грн |
| 500+ | 107.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP05N100 IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP05N100
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTP05N100 | IXYS |
MOSFETs 0.75 Amps 1000V 15 Rds |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXTP05N100 |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs 0.75 Amps 1000V 15 Rds
MOSFETs 0.75 Amps 1000V 15 Rds
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)