IXTP05N100M IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 700MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 399.97 грн |
| 50+ | 202.16 грн |
| 100+ | 184.49 грн |
| 500+ | 144.10 грн |
| 1000+ | 134.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP05N100M IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 700MA TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP05N100M за ціною від 153.26 грн до 416.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTP05N100M | IXYS |
MOSFETs 0.5 Amps 1000V |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IXTP05N100M |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs 0.5 Amps 1000V
MOSFETs 0.5 Amps 1000V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 416.39 грн |
| 10+ | 215.94 грн |
| 100+ | 166.37 грн |
| 500+ | 153.26 грн |