Продукція > IXYS > IXTP05N100M
IXTP05N100M

IXTP05N100M IXYS


littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtp05n100m_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 700MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 1450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+265.76 грн
50+ 202.79 грн
100+ 173.82 грн
500+ 145 грн
1000+ 124.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP05N100M IXYS

Description: MOSFET N-CH 1000V 700MA TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTP05N100M за ціною від 129.52 грн до 288.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTP05N100M IXTP05N100M Виробник : IXYS media-3323332.pdf MOSFET 0.5 Amps 1000V
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+288.97 грн
10+ 260.27 грн
50+ 195.61 грн
100+ 167.57 грн
250+ 162.9 грн
500+ 148.88 грн
1000+ 129.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP05N100M IXTP05N100M Виробник : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_standard_ixtp05n100m_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 0.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товар відсутній
IXTP05N100M IXTP05N100M Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 0.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товар відсутній
IXTP05N100M IXTP05N100M Виробник : IXYS IXTP05N100M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.7A; 25W; TO220FP; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
On-state resistance: 17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP05N100M IXTP05N100M Виробник : IXYS IXTP05N100M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.7A; 25W; TO220FP; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
On-state resistance: 17Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
товар відсутній