Продукція > IXYS > IXTP06N120P

IXTP06N120P IXYS

Name: IXTP06N120P
Brand: IXYS
SKU: 140906-4
Price: 409.41 UAH
Availability: InStock

Виробник: IXYS
MOSFETs 0.6 Amps 1200V 32 Rds

на замовлення 190 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	409.41 грн
50+	266.50 грн
100+	203.05 грн
250+	178.04 грн
500+	162.59 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXTP06N120P IXYS

Description: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTP06N120P

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IXTP06N120P	Виробник : Littelfuse	Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXTP06N120P	Виробник : Littelfuse	Trans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXTP06N120P	Виробник : IXYS	IXTP06N120P THT N channel transistors	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXTP06N120P	Виробник : Littelfuse Inc.	Description: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.