Продукція > LITTELFUSE > IXTP08N100D2
IXTP08N100D2

IXTP08N100D2 Littelfuse

media.pdf Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
117+100.14 грн
Мінімальне замовлення: 117
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP08N100D2 Littelfuse

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP08N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 800 mA, 21 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 800mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 60W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 21ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IXTP08N100D2 за ціною від 91.46 грн до 201.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTP08N100D2 IXTP08N100D2 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
150+133.83 грн
Мінімальне замовлення: 150
IXTP08N100D2 IXTP08N100D2 Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007909279-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP08N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 800 mA, 21 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 21ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+171.5 грн
10+ 154.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
IXTP08N100D2 IXTP08N100D2 Виробник : IXYS media-3320804.pdf MOSFET N-CH MOSFETS 1000V 800MA
на замовлення 1549 шт:
термін постачання 392-401 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+201.73 грн
10+ 146.64 грн
100+ 110.16 грн
250+ 104.82 грн
500+ 99.47 грн
1000+ 91.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP08N100D2 IXTP08N100D2 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IXTP08N100D2 IXTP08N100D2 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IXTP08N100D2 IXTP08N100D2 Виробник : IXYS IXTA(P,Y)08N100D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP08N100D2 IXTP08N100D2 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_08n100_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTP08N100D2 IXTP08N100D2 Виробник : IXYS IXTA(P,Y)08N100D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
товар відсутній