Продукція > IXYS > IXTP08N100D2
IXTP08N100D2

IXTP08N100D2 IXYS

IXTA(P,Y)08N100D2.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+273.74 грн
8+132.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP08N100D2 IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP08N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 800 mA, 21 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 800mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 60W, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm.

Інші пропозиції IXTP08N100D2 за ціною від 108.24 грн до 348.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTP08N100D2 IXTP08N100D2 Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+294.57 грн
250+257.49 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N100D2 IXTP08N100D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-08n100-datasheet?assetguid=5f3f8653-b9a5-4c21-928a-8f26a664dbdc Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+344.78 грн
10+219.93 грн
50+171.69 грн
100+146.58 грн
500+121.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N100D2 IXTP08N100D2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXT_08N100_Datasheet.PDF MOSFETs N-CH MOSFETS 1000V 800MA
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+348.96 грн
10+190.91 грн
100+141.88 грн
500+119.21 грн
1000+110.43 грн
5000+108.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N100D2 IXTP08N100D2 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007909279-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP08N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 800 mA, 21 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N100D2 IXTP08N100D2 Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N100D2 media.pdf
IXTP08N100D2
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+294.57 грн
250+257.49 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N100D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-08n100-datasheet?assetguid=5f3f8653-b9a5-4c21-928a-8f26a664dbdc
IXTP08N100D2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+344.78 грн
10+219.93 грн
50+171.69 грн
100+146.58 грн
500+121.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N100D2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXT_08N100_Datasheet.PDF
IXTP08N100D2
Виробник: IXYS
MOSFETs N-CH MOSFETS 1000V 800MA
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+348.96 грн
10+190.91 грн
100+141.88 грн
500+119.21 грн
1000+110.43 грн
5000+108.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N100D2 LFSI-S-A0007909279-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTP08N100D2
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP08N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 800 mA, 21 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N100D2 media.pdf
IXTP08N100D2
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.