Продукція > IXYS SEMICONDUCTOR > IXTP08N100D2

IXTP08N100D2 IXYS SEMICONDUCTOR

Name: IXTP08N100D2
Brand: IXYS SEMICONDUCTOR
SKU: 298211-6
Price: 863.5500000000001 UAH
Availability: InStock

littelfuse-discrete-mosfets-ixt-08n100-datasheet?assetguid=5f3f8653-b9a5-4c21-928a-8f26a664dbdc

Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP08N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 800 mA, 21 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)

на замовлення 18 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	287.85 грн
10+	145.60 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXTP08N100D2 IXYS SEMICONDUCTOR

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP08N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 800 mA, 21 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 800mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

Інші пропозиції IXTP08N100D2

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IXTP08N100D2	Виробник : Littelfuse	Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXTP08N100D2	Виробник : Littelfuse	Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXTP08N100D2	Виробник : IXYS	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 0.8A Power dissipation: 60W Case: TO220AB On-state resistance: 21Ω Mounting: THT Gate charge: 325nC Kind of package: tube Kind of channel: depletion кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXTP08N100D2	Виробник : Littelfuse Inc.	Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXTP08N100D2	Виробник : IXYS	MOSFETs N-CH MOSFETS 1000V 800MA	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXTP08N100D2	Виробник : IXYS	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 0.8A Power dissipation: 60W Case: TO220AB On-state resistance: 21Ω Mounting: THT Gate charge: 325nC Kind of package: tube Kind of channel: depletion	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.