Продукція > IXYS > IXTP08N100P
IXTP08N100P

IXTP08N100P IXYS

IXTA(P,Y)08N100P.pdf Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO220AB; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 42W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 750ns
On-state resistance: 20Ω
Drain current: 0.8A
Drain-source voltage: 1kV
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+163.82 грн
4+130.39 грн
10+104.63 грн
50+94.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP08N100P IXYS

Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTP08N100P за ціною від 101.22 грн до 201.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP08N100P IXTP08N100P Виробник : IXYS IXTA(P,Y)08N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO220AB; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 42W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 750ns
On-state resistance: 20Ω
Drain current: 0.8A
Drain-source voltage: 1kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.58 грн
3+162.48 грн
10+125.56 грн
50+113.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N100P IXTP08N100P Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse-discrete-mosfets-ixt-08n100p-datasheet?assetguid=c03e6d51-d539-4f4a-ad31-08df60c8fd6a Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.76 грн
50+108.01 грн
100+102.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N100P IXTP08N100P Виробник : IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-08N100P-Datasheet.PDF MOSFETs 0.8 Amps 1000V 20 Rds
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+201.02 грн
10+121.73 грн
500+103.54 грн
1000+101.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N100P IXTP08N100P Виробник : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_standard_ixt_08n100p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.