Продукція > IXYS > IXTP08N100P
IXTP08N100P

IXTP08N100P IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389D9641FC3F820&compId=IXTA(P%2CY)08N100P.pdf?ci_sign=401fa2ad4a14adfb35f84e1f4d1d7ff0a0c5450a Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO220AB; 750ns
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 750ns
On-state resistance: 20Ω
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.84 грн
10+103.14 грн
25+97.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP08N100P IXYS

Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTP08N100P за ціною від 99.78 грн до 209.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP08N100P IXTP08N100P Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse-discrete-mosfets-ixt-08n100p-datasheet?assetguid=c03e6d51-d539-4f4a-ad31-08df60c8fd6a Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.91 грн
50+106.47 грн
100+101.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N100P IXTP08N100P Виробник : IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-08N100P-Datasheet.PDF MOSFETs 0.8 Amps 1000V 20 Rds
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.16 грн
10+120.00 грн
500+102.06 грн
1000+99.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N100P IXTP08N100P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389D9641FC3F820&compId=IXTA(P%2CY)08N100P.pdf?ci_sign=401fa2ad4a14adfb35f84e1f4d1d7ff0a0c5450a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO220AB; 750ns
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 750ns
On-state resistance: 20Ω
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: 1kV
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.16 грн
3+173.02 грн
10+123.77 грн
25+117.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N100P IXTP08N100P Виробник : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_standard_ixt_08n100p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.