IXTP08N50D2 IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO220AB; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 226.46 грн |
| 10+ | 177.04 грн |
| 25+ | 141.30 грн |
| 50+ | 110.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP08N50D2 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTP08N50D2 - MOSFET, N-CH, 500V, 0.8A, TO-220, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 800mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm, directShipCharge: 25.
Інші пропозиції IXTP08N50D2 за ціною від 71.47 грн до 271.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTP08N50D2 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V |
на замовлення 2965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTP08N50D2 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTP08N50D2 - MOSFET, N-CH, 500V, 0.8A, TO-220 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTP08N50D2 | Виробник : IXYS |
MOSFETs N-CH MOSFETS 500V 800MA |
на замовлення 574 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTP08N50D2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO220AB; 11ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 0.8A Power dissipation: 60W Case: TO220AB On-state resistance: 4.6Ω Mounting: THT Gate charge: 312nC Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 11ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 263 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXTP08N50D2 Код товару: 208088
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
 |
IXTP08N50D2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 0.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |