Продукція > Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 > IXTP08N50D2

IXTP08N50D2

Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Depletion-Mode-IXT-08N50-Datasheet.PDF?assetguid=A427D242-A59C-4809-AE1D-1E1F10E2A329
Код товару: 208088
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IXTP08N50D2 за ціною від 110.52 грн до 296.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTP08N50D2 IXTP08N50D2 IXYS IXTA(P,Y)08N50D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO220AB; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+239.83 грн
10+191.95 грн
25+157.05 грн
50+126.31 грн
100+110.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N50D2 IXTP08N50D2 IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Depletion-Mode-IXT-08N50-Datasheet.PDF?assetguid=A427D242-A59C-4809-AE1D-1E1F10E2A329 Description: MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+296.67 грн
50+145.60 грн
100+132.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N50D2 IXTP08N50D2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXT_08N50_Datasheet.PDF MOSFETs N-CH MOSFETS 500V 800MA
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N50D2 IXTA(P,Y)08N50D2.pdf
IXTP08N50D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO220AB; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+239.83 грн
10+191.95 грн
25+157.05 грн
50+126.31 грн
100+110.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N50D2 Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Depletion-Mode-IXT-08N50-Datasheet.PDF?assetguid=A427D242-A59C-4809-AE1D-1E1F10E2A329
IXTP08N50D2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+296.67 грн
50+145.60 грн
100+132.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N50D2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXT_08N50_Datasheet.PDF
IXTP08N50D2
Виробник: IXYS
MOSFETs N-CH MOSFETS 500V 800MA
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

TDA7388
Код товару: 14750
1 Додати до обраних Обраний товар
en.CD00179160.pdf
TDA7388
Виробник: ST
Мікросхеми > Підсилювачі низької частоти
Корпус: Flexiwatt-25
Напруга живлення Uпит, В: 8...28 В
Потужність P, Вт: 4x41 Вт
Опір навантаження R, Ом: 4 Ом
Коефіцієнт гармонік Kг, %: 0,0004 %
у наявності: 52 шт
  • 44 шт - склад
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 11 шт
  • 11 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+155.00 грн
10+144.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.