Продукція > IXYS > IXTP100N04T2
IXTP100N04T2

IXTP100N04T2 IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389E1F1BA8D9820&compId=IXTA(P)100N04T2.pdf?ci_sign=6a88636d3dd1a68af7406b8bccbef80c68bda003 Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO220AB; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 34ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+200.54 грн
10+94.26 грн
27+88.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP100N04T2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2690 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTP100N04T2 за ціною від 98.96 грн до 240.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP100N04T2 IXTP100N04T2 Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse-discrete-mosfets-ixt-100n04t2-datasheet?assetguid=02e31e74-04cd-4eee-96d9-15909abc1070 Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2690 pF @ 25 V
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+202.14 грн
50+104.47 грн
100+98.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP100N04T2 IXTP100N04T2 Виробник : IXYS media-3319125.pdf MOSFETs 100 Amps 40V
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.00 грн
10+168.36 грн
100+119.92 грн
250+114.77 грн
500+104.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP100N04T2 IXTP100N04T2 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A389E1F1BA8D9820&compId=IXTA(P)100N04T2.pdf?ci_sign=6a88636d3dd1a68af7406b8bccbef80c68bda003 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO220AB; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 34ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 269 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.65 грн
10+117.46 грн
27+106.67 грн
500+105.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP100N04T2 IXTP100N04T2 Виробник : Littelfuse mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_100n04t2_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.