Продукція > IXYS > IXTP100N15X4
IXTP100N15X4

IXTP100N15X4 IXYS

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_100n15x4_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 25 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+644.72 грн
50+ 495.58 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP100N15X4 IXYS

Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTP100N15X4

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTP100N15X4 IXTP100N15X4 Виробник : IXYS media-3321726.pdf MOSFET MSFT N-CH HIPERFET-Q 3&44
товар відсутній